[发明专利]正负压接口的静电放电钳位保护元件在审
| 申请号： | 201911346580.9 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111106109A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 谷欣明;钟晓宇;章世轶;忻雯;魏素英;杨宁;张杨;刘欣铖;李一丰 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正负 接口 静电 放电 保护 元件 | ||
1.一种正负压接口的静电放电钳位保护元件，其特征在于，包括一半导体基片、第一接口端，所述半导体基片的上部设置有第一掺杂区域，所述第一掺杂区域包括依次相邻的第一n阱、第一p阱、第二n阱；
所述第一n阱的上部自左向右依次设置有第一n型重掺杂区、第一p型重掺杂区、第二n型重掺杂区；
所述第二n阱的上部自左向右依次设置有第三n型重掺杂区、第二p型重掺杂区、第四n型重掺杂区；
所述第一n阱与所述第一p阱的相邻部的上部设置有第三p型重掺杂区；所述第二n阱与所述第一p阱的相邻部的上部设置有第四p型重掺杂区；
所述第二p型重掺杂区和所述第四n型重掺杂区接地；
所述第一n型重掺杂区和所述第一p型重掺杂区分别与所述第一接口端电连接，
所述第一接口端用于与所述正负压接口电连接。
2.如权利要求1所述的正负压接口的静电放电钳位保护元件，其特征在于，所述正负压接口的静电放电钳位保护元件还包括第二p阱，所述第二p阱为U形，所述第二p阱包围所述第一掺杂区域。
3.如权利要求2所述的正负压接口的静电放电钳位保护元件，其特征在于，所述第二p阱的下方设置有NBL。
4.如权利要求3所述的正负压接口的静电放电钳位保护元件，其特征在于，所述第一n阱、所述第一p阱、所述第二n阱和所述第二p阱的上表面均设置有FOX。
5.如权利要求4所述的正负压接口的静电放电钳位保护元件，其特征在于，所述第一n阱和所述第二n阱均为标准n阱。
6.如权利要求5所述的正负压接口的静电放电钳位保护元件，其特征在于，所述第一p阱为标准p阱。
7.如权利要求6所述的正负压接口的静电放电钳位保护元件，其特征在于，所述第二p阱为高压p阱。
8.如权利要求6所述的正负压接口的静电放电钳位保护元件，其特征在于，所述正负压接口的静电放电钳位保护元件还包括设置于所述NBL的下方的p型衬底区。
9.如权利要求8所述的正负压接口的静电放电钳位保护元件，其特征在于，所述半导体基片为左右对称结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
