[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极与所述量子点发光层之间设置有空穴功能层，其特征在于，所述空穴功能层具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构；

其中，

所述空穴功能层包括层叠设置的n型半导体材料层、p型半导体材料层和位于所述n型半导体材料层和所述p型半导体材料层之间的六方氮化硼材料层，且所述n型半导体材料层与所述阳极相邻；其中，所述n型半导体材料层、六方氮化硼材料层和p型半导体材料层组成所述隧穿结结构；

所述n型半导体材料层的材料选自n型掺杂的六方氮化硼、本征过渡金属二硫属化物和n型掺杂的过渡金属二硫属化物中的至少一种；所述p型半导体材料层的材料选自p型掺杂的六方氮化硼、本征石墨烯和p型掺杂的石墨烯中的至少一种；所述六方氮化硼材料层的材料为本征六方氮化硼材料。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述n型掺杂的六方氮化硼中的掺杂元素选自S、Si、C、O和F中的至少一种；和/或，

所述n型掺杂的过渡金属二硫属化物中的掺杂元素选自B、C、N、F和Li中的至少一种；和/或，

所述p型掺杂的六方氮化硼中的掺杂元素选自Be、Mg、Zn和Al中的至少一种；

所述p型掺杂的石墨烯中的掺杂元素选自H、Cl、O、S、C、N、P、B、Li、Na、K、Al、Zn、Mg、Be和Ti中的至少一种。

3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述n型半导体材料层的厚度为1-200nm；和/或，

所述六方氮化硼材料层的厚度为1-10nm；和/或，

所述p型半导体材料层的厚度为1-200nm。

4.如权利要求1-3任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阴极与所述量子点发光层之间设置有电子功能层；和/或，

所述空穴功能层为空穴注入层或者空穴传输层。

5.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板；

在所述基板上制备具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构的空穴功能层；

其中，

所述空穴功能层包括层叠设置的n型半导体材料层、p型半导体材料层和位于所述n型半导体材料层和所述p型半导体材料层之间的六方氮化硼材料层；其中，所述n型半导体材料层、所述六方氮化硼材料层和所述p型半导体材料层组成所述隧穿结结构；

所述n型半导体材料层的材料选自n型掺杂的六方氮化硼、本征过渡金属二硫属化物和n型掺杂的过渡金属二硫属化物中的至少一种，所述p型半导体材料层的材料选自p型掺杂的六方氮化硼、本征石墨烯和p型掺杂的石墨烯中的至少一种，所述六方氮化硼材料层的材料为本征六方氮化硼材料。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述基板为阳极基板，所述空穴功能层的制备步骤包括：

在所述阳极基板上制备所述n型半导体材料层；

在所述n型半导体材料层表面制备所述六方氮化硼材料层；

在所述六方氮化硼材料层表面制备所述p型半导体材料层。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述基板为阴极基板，所述空穴功能层的制备步骤包括：

在所述阴极基板上制备量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备所述p型半导体材料层；

在所述p型半导体材料层表面制备所述六方氮化硼材料层；

在所述六方氮化硼材料层表面制备所述n型半导体材料层。

8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述n型掺杂的六方氮化硼中的掺杂元素选自S、Si、C、O和F中的至少一种；和/或，

所述n型掺杂的过渡金属二硫属化物中的掺杂元素选自B、C、N、F和Li中的至少一种；和/或，

所述p型掺杂的六方氮化硼中的掺杂元素选自Be、Mg、Zn和Al中的至少一种；

所述p型掺杂的石墨烯中的掺杂元素选自H、Cl、O、S、C、N、P、B、Li、Na、K、Al、Zn、Mg、Be和Ti中的至少一种。

9.如权利要求5-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述n型半导体材料层的厚度为1-200nm；和/或，

所述六方氮化硼材料层的厚度为1-10nm；和/或，

所述p型半导体材料层的厚度为1-200nm。