[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极与所述量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构。该空穴功能层具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构，该隧穿结结构可以形成内建电场，而六方氮化硼材料在隧穿结结构中能改善电流扩展效率，增加空穴的隧穿几率；这样，具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构的空穴功能层可以提高空穴迁移率，进而提高器件的空穴注入效率，最终提高了器件的发光性能。

技术领域

本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

半导体量子点(Quantum Dots，QDs)具有荧光量子效率高、可见光波段发光可调、色域覆盖度宽广等特点，在显示和固态照明领域受到极大关注。相比于传统显示技术，基于量子点技术的电致发光器件-量子点发光二极管(Quantumdot Light Emitting Diode，QLED)具有高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，可以通过自发光实现关于从点光源到面光源的飞跃。但是，目前QLED器件特别是蓝光器件中，空穴功能层材料(如空穴传输材料)的载流子迁移率低于电子传输材料，导致发光层的载流子注入不平衡，而且常用的空穴传输材料多为有机材料，其对环境较为敏感，从而严重限制QLED器件的发光效率和寿命。

因此，现有QLED器件的空穴功能层有待改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有QLED器件的空穴功能层的空穴注入效果不理想，从而造成器件的载流子注入不平衡的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极与所述量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构。

本发明提供的量子点发光二极管中，设置有一层特有的空穴功能层，该空穴功能层具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构，该隧穿结结构可以形成内建电场，而六方氮化硼材料具有禁带宽度大、相对介电常数在3～5.1之间可控的特点，在隧穿结结构中能改善电流扩展效率，增加空穴的隧穿几率；这样，具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构的空穴功能层可以提高空穴迁移率，进而提高器件的空穴注入效率，最终提高了器件的发光性能。

本发明另一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

提供基板；

在所述基板上制备具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构的空穴功能层。

本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，在器件中制备一层具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构的空穴功能层，这样的空穴功能层可以提高空穴迁移率，从而提高空穴注入效率，因此，最终制得的量子点发光二极管的发光性能得到提高。

附图说明

图1为本发明实施例提供的量子点发光二极管的空穴功能层示意图；

图2为本发明实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的量子点发光二极管的制备方法流程示意图；

图4为本发明实施例提供的正置型量子点发光二极管的制备方法流程示意图；

图5为本发明实施例提供的倒置型量子点发光二极管的制备方法流程示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。