[发明专利]一种新型5寸掩模版贴膜工具在审
申请号: | 201911347730.8 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN111025843A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 薛文卿;华卫群;季书凤;杨长华;张月圆 | 申请(专利权)人: | 无锡中微掩模电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F7/20 |
代理公司: | 连云港联创专利代理事务所(特殊普通合伙) 32330 | 代理人: | 谷金颖 |
地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 模版 工具 | ||
本发明公开了一种新型5寸掩模版贴膜工具,包括中央镂空的主体支架、定位兼导向块和压力杆,定位兼导向块分布于中央镂空的主体支架的四周,压力杆设置在主体支架四角上;所述压力杆分别与5寸掩模版四个角位置对应。主体支架的中央镂处可以观察贴膜工具的4个压力杆和5寸掩模版四个角位置是否对应。本发明设计科学合理,操作简单方便,本发明解决了人工使用四根手指来按压掩模基板,取而代之地使用四根压力杆可以在掩模基板四角压力均匀,且不会因手指按压留下痕迹。
技术领域
本发明涉及掩模制版技术领域,尤其涉及一种新型5寸掩模版贴膜工具。
背景技术
半导体集成电路制造工艺已经进入14-16纳米量产阶段,因此需要更先进的光刻技术刻出更细的线宽和更复杂的图案。光刻工艺中,需要用到一种模板来对图形进行转印和复制,这种模板称之为光掩模板(又称光罩,以下统称为掩模板)。掩模板是一条纽带连接设计公司和晶园制造,目前晶圆厂光刻工艺中还无法实现无掩模光刻,因此掩模板是集成电路制造中极为关键的一环。由此需求掩模板的线宽越来越细,精度要求也是越来越高,些许颗粒沾污就直接影响掩模版质量。
掩模基板的主要制作流程为曝光、PEB、显影、硬烘、刻蚀、去胶、检测、贴膜等,后端工序贴膜尤为重要,直接影响产品成品率。保护膜可以防止污染物掉落在掩模版上,降低掩模清洗周期,提高掩模使用寿命。
现有技术中,作业员平时用手直接按压掩模版表面,有时手指印残留在掩模版上无法消除,导致返工,需要拆下掩模版保护膜、清洗等不必要的返工工序。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术中作业员平时用手直接按压掩模版表面会残留手指印的缺陷,提供一种新型5寸掩模版贴膜工具。
为了解决上述技术问题,本发明提供了如下的技术方案:
本发明一种新型5寸掩模版贴膜工具,包括中央镂空的主体支架、定位兼导向块和压力杆,所述定位兼导向块分布于中央镂空的主体支架的四周,导向杆从上沿着贴膜基座慢慢向下,确保四根压力杆按压在掩模版四个角上,使得保护膜均匀而牢固地粘在掩模版上;所述压力杆设置在主体支架四角上;所述压力杆分别与5寸掩模版四个角位置对应。主体支架的中央镂处可以观察贴膜工具的4个压力杆和5寸掩模版四个角位置是否对应。
进一步的,在左右两个定位兼导向块上设置有把手。双手可以把压力均匀传递给4根压力杆,基本保持保护膜和需要贴膜的掩模版平衡。
进一步的,所述定位兼导向块的尺寸与掩模版贴膜基座尺寸相匹配。
进一步的,所述定位兼导向块内层镀镍,外层镀塑料,摩擦时不产生颗粒。
进一步的,压力杆采用PMMA材质,和掩模基板表面重压和摩擦不产生颗粒和痕迹。
进一步的,压力杆长度长于双面贴膜总厚度与贴膜基座内弹簧压缩长度之和,从而可以满足单面和双面贴膜需求。
进一步的,5寸掩模版贴膜工具的尺寸略大于5寸贴膜基座的尺寸。
进一步的,所述定位兼导向块的长度略长于贴膜基座内弹簧压缩长度。
采用上述新型5寸掩模版贴膜工具的贴膜方法,包括以下步骤:
S1、把贴膜工具放置工作台中央;
S2、对贴膜工具进行清洁和放置在顺手位置,准备后续操作;
S3、把掩模版保护膜平整地放置在贴膜支座上;
S4、把掩模版保护膜上的粘合带保护薄膜轻轻撕开;
S5、把需要粘贴保护膜的掩模版轻轻放置在保护膜架上;
S6、检查掩模版平整放置在保护膜架上;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡中微掩模电子有限公司,未经无锡中微掩模电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911347730.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:空气清洁器
- 下一篇:一种天线面方位角度获取方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备