[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次形成有第一介质层、浮栅、第二介质层、控制栅和字线区域，所述字线区域依次贯穿所述控制栅、第二介质层和浮栅并暴露出所述第一介质层的顶面并用于填充字线，所述控制栅在所述字线区域中形成暴露出所述第二介质层的部分顶面的控制栅转角，所述字线区域的侧壁上形成有覆盖于所述浮栅、第二介质层和控制栅的侧壁以及所述控制栅转角处的间隔氧化层，所述第一介质层为氧化层；

沿字线区域湿法蚀刻间隔氧化层和第一介质层，以减薄位于字线区域下方的第一介质层形成隧穿氧化层，以及减薄间隔氧化层形成侧壁氧化层，以使控制栅转角处的侧壁氧化层在水平方向上的厚度与隧穿氧化层在垂直方向上的厚度的比为125％至145％。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述控制栅转角处的侧壁氧化层在水平方向上的厚度与隧穿氧化层在垂直方向上的厚度的比为142％。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在字线区域形成的所述第一介质层在垂直方向上的厚度为172纳米，通过湿法蚀刻所述第一介质层之后形成的隧穿氧化层在垂直方向上的厚度为103纳米；形成所述间隔氧化层在水平方向上的厚度为204纳米，通过湿法蚀刻所述间隔氧化层形成的侧壁氧化层在水平方向上的厚度为124纳米；在湿法蚀刻之前，所述控制栅转角处的间隔氧化层在水平方向上的厚度为215纳米；在湿法蚀刻之后，所述控制栅转角处的侧壁氧化层在水平方向上的厚度为147纳米。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为分栅式闪存。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二介质层为ONO叠层。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述隧穿氧化层和侧壁氧化层均为二氧化硅。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述衬底上形成有源极和漏极。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述衬底为硅、锗、绝缘体上硅、金刚石上硅、第Ⅲ簇或者第Ⅴ簇半导体化合物。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述侧壁氧化层之间的隧穿氧化层上的字线区域形成字线。

10.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的半导体器件的制造方法形成。