[发明专利]一种激光切割用激光退火装置有效
申请号: | 201911350915.4 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN110965128B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 周翔;黄仲佳;周晓宏;罗贤国;张勇;孙文明;赵薇;郑兰斌;吴志华;王心生;杨军;李思文;宗泽;吕晨;艾晓蕾 | 申请(专利权)人: | 安徽省春谷3D打印智能装备产业技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C30B33/02 |
代理公司: | 成都华复知识产权代理有限公司 51298 | 代理人: | 任丽娜 |
地址: | 241200 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 切割 退火 装置 | ||
本发明公开了一种激光切割用激光退火装置,包括工作台,所述工作台内滑动安装有两组激光器反射组件,两组所述激光器反射组件底部分别固定安装有第一底座和第二底座,所述激光器反射组件和第二底座之间的夹角角度为°,所述第一底座和第二底座底部四角均固定安装有行走轮,所述激光器反射组件包括底板,所述底板内转动安装有托盘,所述托盘顶部设置有弧形板,所述弧形板顶部固定安装有反射镜片,所述弧形板和底板之间设置有电动推杆,所述电动推杆的输出轴端和尾端均通过耳板分别铰接于托盘上表面和弧形板下表面一侧,所述底板底部均中位置固定安装有升降电机,所述托盘底部环形等距阵列有滑动组件,提高退火效率。
技术领域
本发明属于激光退火技术领域,具体涉及一种激光切割用激光退火装置。
背景技术
退火是一种金属热处理工艺,指的是将金属缓慢加热到一定温度,保持足够时间,然后以适宜速度冷却。目的是降低硬度,改善切削加工性;消除残余应力,稳定尺寸,减少变形与裂纹倾向;细化晶粒,调整组织,消除组织缺陷。准确的说,退火是一种对材料的热处理工艺,包括金属材料、非金属材料。而且新材料的退火目的也与传统金属退火存在异同。
传统的加热退火技术是把整个工件放在真空炉中。激光退火技术开始主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,特别是硅,在一定的温度(300°~1200℃)保温退火10~60min。激光退火采用激光扫描整片硅片,在很短的时间在较小的区域产生热量,并使温度正好低于硅的熔点,之后冷却过程亦在很短时间能完成,驻留时间在几百微秒,是一种有效地无扩散工艺。线性波束形成光学系统被固定在适当位置处,并且激光束使用反射镜片来传播。
现有的反射镜片的调节范围有限,因此增加了退火流程,降低了退火效率,为此,我们提出一种激光切割用激光退火装置来解决现有技术中存在的问题,使其在操作台上设置两组反射镜片,使其可以进行角度调节和位置调节,便于针对不同的退火产品进行调整,减少退火流程;利用电动推杆控制角度,利用带传动控制反射镜的角度调节,实现自动化控制,提高退火效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种激光切割用激光退火装置,以解决上述背景技术中提出现有技术中反射镜片的调节范围有限,因此增加了退火流程,降低了退火效率的问题。
为实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:一种激光切割用激光退火装置,包括工作台,所述工作台内滑动安装有两组激光器反射组件,两组所述激光器反射组件底部分别固定安装有第一底座和第二底座,所述激光器反射组件和第二底座之间的夹角角度为°,所述第一底座和第二底座底部四角均固定安装有行走轮;
所述激光器反射组件包括底板,所述底板内转动安装有托盘,所述托盘顶部设置有弧形板,所述弧形板顶部固定安装有反射镜片,所述弧形板和底板之间设置有电动推杆,所述电动推杆的输出轴端和尾端均通过耳板分别铰接于托盘上表面和弧形板下表面一侧,所述底板底部均中位置固定安装有升降电机;
所述托盘底部环形等距阵列有滑动组件,所述滑动组件包括导向套,所述导向套内滑动安装有导向杆,所述导向套滑动安装于底板内;
所述弧形板底部对称设置有两组定位组件,所述定位组件包括拖轮,所述拖轮顶部通过弹簧固定连接于弧形板底面,所述托盘上表面固定安装有导条,所述拖轮滑动安装有导条内。
优选的,所述工作台上表面分别开设有两组第一滑槽和两组第二滑槽,八组所述行走轮分别滑动安装于第一滑槽和两组第二滑槽内。
优选的,所述弧形板内为空心结构设置,所述反射镜片通过两组支撑杆固定安装于弧形板内。
优选的,所述托盘上表面一侧和弧形板下表面一侧均固定安装有双耳底座,所述耳板通过销轴转动安装于双耳底座内。
优选的,所述导向套底部固定安装有连接板,所述连接板上表面和底面均固定安装有球轮,所述底板内开设有环形卡槽,所述球轮和环形卡槽间隙配合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造