[发明专利]一种非晶纳米晶磁片制备工艺及制备设备

权利要求书

1.一种非晶纳米晶磁片制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将磁片本体切割形成多个相互隔开的单元分体，且不切断磁片本体下表面的硅胶粘膜，磁片本体由多层经过退火的非晶纳米晶带材采用双面胶贴合形成，磁片本体的下表面贴附有硅胶粘膜，磁片本体的上表面不贴附硅胶粘膜；

S2：对经过切割的磁片本体进行喷胶，使胶体填充多个单元分体之间的空隙并覆盖磁片本体的上表面；

S3：对经过喷胶的磁片本体进行裂片处理，使非晶纳米晶产生裂纹，并使磁片本体达到预设磁导率；

S4：将磁片本体下表面的硅胶粘膜去除，并在磁片本体上表面和下表面均覆膜，得到非晶纳米晶磁片。

2.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁片制备工艺，其特征在于，在步骤S1中，多层非晶纳米晶带材进行贴合的方法包括：

S11：取一片暗面贴附了双面胶的非晶纳米晶带材，在其亮面一侧贴附硅胶粘膜，并剥离非晶纳米晶带材上双面胶的保护膜，以该非晶纳米晶带材为底基层；

S12：取一片在暗面贴附了双面胶的非晶纳米晶带材并剥离该非晶纳米晶带材上双面胶的保护膜，将其亮面与底基层上的双面胶贴合；

S13：取一片在暗面贴附了双面胶的非晶纳米晶带材并剥离该非晶纳米晶带材上双面胶的保护膜，将其亮面与顶层的非晶纳米晶带材上的双面胶贴合；

S14：重复S13直至增加非晶纳米晶带材的层数至预设层数；

S15：取一片非晶纳米晶带材并将其亮面与处于顶层的非晶纳米晶带材的暗面贴合，得到磁片本体。

3.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁片制备工艺，其特征在于，所述单元分体为矩形块状结构。

4.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁片制备工艺，其特征在于，在步骤S3和步骤S4之间还包括：对经过破碎处理的磁片本体进行辊压，以整平经过破碎处理后的磁片本体的上表面和下表面。

5.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁片制备工艺，其特征在于，在步骤S1中，贴合的非晶纳米晶带材的层数N≥4。

6.一种用于实施权利要求1-5任一项所述的非晶纳米晶磁片制备工艺的制备设备，其特征在于，所述制备设备包括裂片装置，所述裂片装置包括依次设置的切割机构(2)、喷胶机构(3)和裂片机构(4)，所述切割机构(2)用于将磁片本体(10)切割形成多个相互隔开的单元分体；所述喷胶机构(3)用于对经过切割的所述磁片本体(10)进行喷胶，所述裂片机构(4)用于对经过喷胶的所述磁片本体(10)进行破碎处理。

7.根据权利要求6所述的制备设备，其特征在于，所述切割机构(2)包括相对设置且之间形成供所述磁片本体(10)穿过的通道的第一辊(21)和第二辊(22)，所述第一辊(21)或所述第二辊(22)上设置有将磁片本体(10)切割形成多个相互隔开的所述单元分体的滚刀。

8.根据权利要求6所述的制备设备，其特征在于，所述裂片机构(4)包括碎化辊(42)和与所述碎化辊(42)相对设置且用于支撑所述磁片本体(10)的第一支撑辊(43)，所述碎化辊(42)用于辊压所述磁片本体(10)以使非晶纳米晶产生裂纹。

9.根据权利要求6所述的制备设备，其特征在于，所述裂片装置还包括设置于所述裂片机构(4)下游的辊压机构(5)，所述辊压机构(5)用于对经过破碎处理的所述磁片本体(10)进行辊压，以整平所述磁片本体(10)的上表面和下表面。

10.根据权利要求6所述的制备设备，其特征在于，所述裂片装置还包括输送机构，所述输送机构包括输料结构、离型膜输送结构和皮带传送结构，所述输料结构用于输送所述磁片本体(10)，所述离型膜输送结构用于输送离型膜(20)，所述皮带传送结构用于传动皮带(16)，在所述裂片机构(4)中，所述离型膜(20)能够贴附于所述磁片本体(10)的上表面，且所述皮带(16)能够抵接于所述磁片本体(10)下表面的硅胶粘膜。