[发明专利]一种非晶纳米晶磁片制备工艺及制备设备

说明书

本发明公开了一种非晶纳米晶磁片制备工艺及制备设备，属于磁性材料技术领域，非晶纳米晶磁片制备工艺包括S1、将磁片本体切割形成多个相互隔开的单元分体，且不切断下表面的硅胶粘膜，磁片本体由多层经过退火的非晶纳米晶带材采用双面胶贴合形成，磁片本体的下表面具有硅胶粘膜；S2、对经过切割的磁片本体进行喷胶；S3、对经过喷胶的磁片本体进行裂片处理，使非晶纳米晶产生裂纹，并使磁片本体达到预设磁导率；S4、将磁片本体下表面的硅胶粘膜去除，并在磁片本体上表面和下表面均覆膜，得到非晶纳米晶磁片。对磁片本体进行切割并后续对磁片本体进行破碎，相比于现有技术，加工效率高，且有利于磁片本体的应力释放，避免非晶纳米晶磁片出现鼓包。

技术领域

本发明涉及磁性材料技术领域，尤其涉及一种非晶纳米晶磁片制备工艺及制备设备。

背景技术

从手机、笔记本等便携式电子产品逐渐普及开始，“轻薄”的设计理念一直牵引着市场的发展方向，各大厂商也在不断加强技术研发，视图将便携电子产品做到更薄，无线充电模组向作为内置器件植入便携式电子产品中，起关键作用的磁片就必须做到“轻薄”。

非晶纳米晶带材是由超级冷凝固形成厚度在15－35μm范围内的固体薄带，合金凝固时原子来不及有序排列结晶得到的固态合金。这种固态合金是长程无序结构，没有晶态合金的晶粒、晶界存在，具有优异的磁性、耐蚀性、耐磨性、高硬度、高强度、高电阻率等特性。性能方面，非晶纳米晶磁片具有高的导磁率、高的饱和磁通密度，具有较大的性能优势。

非晶纳米晶磁片用于无线充电时，未经处理的非晶或非晶纳米晶带材的磁导率和饱和磁通密度都能达到要求，但是损耗较高，非晶纳米晶导磁片在高频下的损耗主要来自于涡流损耗，涡流损耗较大会导致品质因素Q值低，充电效率低，同时，充电时非晶纳米晶的发热量较大。为了降低涡流损耗，目前常规的做法是将非晶纳米晶带材碎花，相当于把非晶纳米晶带材碎裂成微小的颗粒，颗粒之间使用绝缘层，这样单体小颗粒的磁通量小，涡流小，就减少了大面积的涡流损耗，使得无线充电时，磁场耦合后的损耗降低，发热量减少。

目前行业中常规的破碎的方式是采用机械压力的方式使带材破碎。先是单层破碎，然后使用双面胶带将多层非晶纳米晶贴合到一起，来达到无线充电使用要求的厚度和磁性能。但是这种加工方式不仅效率低，而且当非晶纳米晶层数较多时，非晶纳米晶层内部的应力释放而容易导致磁片容易出现鼓包，影响磁片的品质因数。

发明内容

本发明的目的在于提供一种非晶纳米晶磁片制备工艺及制备设备，以解决现有技术中存在的采用单层破碎后使用双面胶多层贴合的方式，加工效率低，而且当非晶纳米晶层数较多时容易导致磁片出现鼓包，影响磁片的品质因数的技术问题。

如上构思，本发明所采用的技术方案是：

一种非晶纳米晶磁片制备工艺，包括以下步骤：

S1：将磁片本体切割形成多个相互隔开的单元分体，且不切断下表面的硅胶粘膜，磁片本体由多层经过退火的非晶纳米晶带材采用双面胶贴合形成，磁片本体的下表面具有硅胶粘膜；

S2：对经过切割的磁片本体进行喷胶，使胶体填充多个单元分体之间的空隙并覆盖磁片本体的上表面；

S3：对经过喷胶的磁片本体进行裂片处理，使非晶纳米晶产生裂纹，并使磁片本体达到预设磁导率；

S4：将磁片本体下表面的硅胶粘膜去除，并在磁片本体上表面和下表面均覆膜，得到非晶纳米晶磁片。

进一步地，在步骤S1中对非晶纳米晶带材进行贴合的方法包括：

S11：取一片暗面贴附了双面胶的非晶纳米晶带材，在其亮面一侧贴附硅胶粘膜，并剥离非晶纳米晶带材上双面胶的保护膜，以该非晶纳米晶带材为底基层；

S12：取另一片在暗面贴附了双面胶的非晶纳米晶带材并剥离该非晶纳米晶带材上双面胶的保护膜，将其亮面与底基层上的双面胶贴合；