[发明专利]单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法

权利要求书

1.一种单片可重构砷化镓低噪声放大器，其特征在于，包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；所述片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，所述片外输入匹配电路的匹配端与所述砷化镓单片放大电路的输入端连接，所述砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；

所述片外输入匹配电路与所述砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。

2.如权利要求1所述的单片可重构砷化镓低噪声放大器，其特征在于，所述片外输入匹配电路包括：第一电感、第二电感和介质基片；

所述第二电感的第一端作为所述片外输入匹配电路的输入端，所述第二电感的第一端还与所述第一电感的第一端连接，所述第二电感的第二端作为所述片外输入匹配电路的匹配端；所述第一电感的第二端与所述片外输入匹配电路的接地端连接；

所述第二电感和所述第一电感均设置在所述介质基片上；

所述介质基片包括至少两个预设半径的圆形通孔，所述圆形通孔为所述片外输入匹配电路的接地端。

3.如权利要求2所述的单片可重构砷化镓低噪声放大器，其特征在于，所述第二电感包括至少两根金丝；

所述至少两根金丝中的第一金丝的第一端作为所述第二电感的第一端，所述第一金丝的第二端与所述至少两根金丝中的第二金丝的第一端连接，所述第二金丝的第二端作为所述第二电感的第二端。

4.如权利要求3所述的单片可重构砷化镓低噪声放大器，其特征在于，所述至少两根金丝均为Φ25μm键合金丝。

5.如权利要求2所述的单片可重构砷化镓低噪声放大器，其特征在于，所述第一电感包括平面螺旋电感和第三金丝；

所述第三金丝的第一端作为所述第二电感的第一端，所述第三金丝的第二端与所述平面螺旋电感的第一端连接，所述平面螺旋电感的第二端与所述片外输入匹配电路的接地端连接。

6.如权利要求2所述的单片可重构砷化镓低噪声放大器，其特征在于，所述第一电感为Φ25μm键合金丝；

所述Φ25μm键合金丝的第一端作为所述第一电感的第一端，所述Φ25μm键合金丝的第二端与所述片外输入匹配电路的接地端连接。

7.如权利要求2至6任一项所述的单片可重构砷化镓低噪声放大器，其特征在于，所述介质基片为厚度范围为0.343mm至0.419mm的氧化铝陶瓷基片。

8.一种单片可重构砷化镓低噪声放大器的制备方法，其特征在于，包括：

制备片外输入匹配电路，所述片外输入匹配电路包括输入端和匹配端；

制备砷化镓单片放大电路，所述砷化镓单片放大电路无输入匹配网络，所述砷化镓单片放大电路包括输入端和输出端；

将所述片外输入匹配电路与所述砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数，所述片外输入匹配电路的匹配端与所述砷化镓单片放大电路的输入端键合。

9.如权利要求8所述的单片可重构砷化镓低噪声放大器的制备方法，其特征在于，制备片外输入匹配电路，包括：

在介质基片的一侧制备至少两个预设半径的圆形通孔；

在制备有通孔的介质基片的正面溅射金属层；

利用光刻工艺在溅射金属层的介质基片的正面形成图形化的掩膜层；

对形成图形化的掩膜层的介质基片的正面进行电镀得到接地的平面螺旋电感和阵列的连接点，并将所述介质基片的正面上的掩膜层和掩膜层下面的金属层去除；

在所述阵列的连接点上通过至少两根金丝键合出第二电感，并通过第三金丝将第二电感与平面螺旋电感连接。

10.如权利要求8或9所述的单片可重构砷化镓低噪声放大器的制备方法，其特征在于，在制备有通孔的介质基片的正面溅射金属层，包括：

在制备有通孔的介质基片的正面溅射钛钨层；

在介质基片的钛钨层上溅射金层。