[发明专利]单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法

说明书

本发明属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法。所述电路包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓单片放大电路的输入端连接，砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；片外输入匹配电路与砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。本发明将砷化镓单片放大电路的输入匹配网络从片上移至片外，实现了根据工作需求提高输入匹配网络的Q值，降低了低噪声放大器的噪声系数。

技术领域

本发明属于低噪声放大器技术领域，更具体地说，是涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法。

背景技术

目前砷化镓(GaAs)低噪声放大器的制造工艺有两种途径可以实现，一种利用微波单片集成电路(MMIC)工艺制造的砷化镓低噪声放大器单片；另一种采用微波薄膜混合集成电路工艺设计的砷化镓低噪声放大器。但利用微波单片集成电路工艺制造的砷化镓低噪声放大器单片噪声系数较高，采用微波薄膜混合集成电路工艺设计的砷化镓低噪声放大器的电路尺寸较大。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法，以解决现有技术中的砷化镓低噪声放大器噪声系数较高、电路尺寸较大的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种单片可重构砷化镓低噪声放大器，包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；所述片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，所述片外输入匹配电路的匹配端与所述砷化镓单片放大电路的输入端连接，所述砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；

所述片外输入匹配电路与所述砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。

进一步的，所述片外输入匹配电路包括：第一电感、第二电感和介质基片；

所述第二电感的第一端作为所述片外输入匹配电路的输入端，所述第二电感的第一端还与所述第一电感的第一端连接，所述第二电感的第二端作为所述片外输入匹配电路的匹配端；所述第一电感的第二端与所述片外输入匹配电路的接地端连接；

所述第二电感和所述第一电感均设置在所述介质基片上；

所述介质基片包括至少两个预设半径的圆形通孔，所述圆形通孔为所述片外输入匹配电路的接地端。

进一步的，所述第二电感包括至少两根金丝；

所述至少两根金丝中的第一金丝的第一端作为所述第二电感的第一端，所述第一金丝的第二端与所述至少两根金丝中的第二金丝的第一端连接，所述第二金丝的第二端作为所述第二电感的第二端。

进一步的，所述至少两根金丝均为Φ25μm键合金丝。

进一步的，所述第一电感包括平面螺旋电感和第三金丝；

所述第三金丝的第一端作为所述第二电感的第一端，所述第三金丝的第二端与所述平面螺旋电感的第一端连接，所述平面螺旋电感的第二端与所述片外输入匹配电路的接地端连接。

进一步的，所述第一电感为Φ25μm键合金丝；

所述Φ25μm键合金丝的第一端作为所述第一电感的第一端，所述Φ25μm键合金丝的第二端与所述片外输入匹配电路的接地端连接。

进一步的，所述介质基片为厚度范围为0.343mm至0.419mm的氧化铝陶瓷基片。

本发明实施例的第二方面提供了一种单片可重构砷化镓低噪声放大器的制备方法，包括：

制备片外输入匹配电路，所述片外输入匹配电路包括输入端和匹配端；