[发明专利]一种双口静态随机存储单元版图结构

权利要求书

1.一种双口静态随机存储单元版图结构，其特征在于，至少包括：

下拉管版图结构、第一传输管版图结构、第二传输管版图结构；

所述下拉管版图结构、第一传输管版图结构、第二传输管版图结构中分别包括：有源区图形和横跨在所述有源区图形上的多晶硅图形；位于所述有源区图形上且分布在所述多晶硅图形两侧的接触孔图形；

所述下拉管版图结构的所述有源区图形与所述第一传输管版图结构的所述有源区图形连在一起，且二者共用一端接触孔图形；所述下拉管版图结构的所述有源区图形与所述第二传输管版图结构的所述有源区图形连在一起，且二者共用一端接触孔图形；

所述第一传输管版图结构的所述有源区图形与所述第二传输管版图结构的所述有源区图形分别位于所述下拉管版图结构的有源区图形下方的两侧；所述下拉管版图结构、所述第一、第二传输管版图结构中的有源区组成一个“门”字形的图形结构。

2.根据权利要求1所述的双口静态随机存储单元版图结构，其特征在于：所述下拉管版图结构中的所述接触孔图形分布在该下拉管版图结构中的多晶硅图形的上方和下方。

3.根据权利要求2所述的双口静态随机存储单元版图结构，其特征在于：所述下拉管版图结构中分布在其多晶硅图形上方的接触孔图形的个数为一个。

4.根据权利要求3所述的双口静态随机存储单元版图结构，其特征在于：所述下拉管版图结构中分布在其多晶硅图形下方的接触孔图形的个数为两个，该两个接触孔图形分别为与所述第一传输管版图结构、第二传输管版图结构共用的接触孔图形。

5.根据权利要求1所述的双口静态随机存储单元版图结构，其特征在于：所述第一传输管版图结构、第二传输管版图结构的所述多晶硅图形连在一起，并且在各自有源区以外的连接区域通过多晶硅切断图形覆盖。

6.根据权利要求4所述的双口静态随机存储单元版图结构，其特征在于：所述第一传输管和第二传输管版图结构的所述多晶硅图形上方的接触孔图形分别与所述下拉管版图结构共用，所述第一传输管和第二传输管版图结构的所述多晶硅图形下方的所述接触孔个数分别为一个。

7.根据权利要求1所述的双口静态随机存储单元版图结构，其特征在于：所述下拉管版图结构、所述第一传输管版图结构、第二传输管版图结构中的所述有源区图形为SRAM结构中的有源区图形。

8.根据权利要求7所述的双口静态随机存储单元版图结构，其特征在于：所述下拉管版图结构、所述第一传输管版图结构、第二传输管版图结构中的所述有源区图形为分别为与各自所述的多晶硅图形相交的数个条形结构。

9.根据权利要求8所述的双口静态随机存储单元版图结构，其特征在于：所述第一传输管版图结构的所述有源区图形与所述第二传输管版图结构的所述有源区图形分别位于所述下拉管版图结构的有源区图形下方的两侧。

10.根据权利要求9所述的双口静态随机存储单元版图结构，其特征在于：所述下拉管版图结构中的所述接触孔图形分布在该下拉管版图结构中的多晶硅图形的上方和下方。

11.根据权利要求8所述的双口静态随机存储单元版图结构，其特征在于：所述第一传输管版图结构、第二传输管版图结构的所述多晶硅图形连在一起，并且在各自有源区以外的连接区域通过多晶硅切断图形覆盖。

12.根据权利要求10所述的双口静态随机存储单元版图结构，其特征在于：所述传输管的尺寸为0.14微米。

13.根据权利要求10所述的双口静态随机存储单元版图结构，其特征在于：所述下拉管的尺寸为0.48微米。

14.根据权利要求1所述的双口静态随机存储单元版图结构，其特征在于：所述版图结构基于28纳米技术节点的低功耗工艺的双口静态随机存储器单元。