[发明专利]一种双口静态随机存储单元版图结构

说明书

本发明提供一种双口静态随机存储单元版图结构，包括下拉管版图结构、第一、第二传输管版图结构；下拉管版图结构、第一、第二传输管版图结构中分别包括：有源区图形和横跨在有源区图形上的多晶硅图形；位于有源区图形上且分布在多晶硅图形两侧的接触孔图形；下拉管版图结构的有源区图形与第一传输管版图结构的有源区图形连在一起，且二者共用一端接触孔图形；下拉管版图结构的有源区图形与第二传输管版图结构的有源区图形连在一起，且二者共用一端接触孔图形。本发明优化了传统双口静态随机存储器单元版图结构，改善了光学圆角效应对器件匹配的影响，同等面积下，加强了下拉管的性能，包括读写串扰，增大了读电流。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种双口静态随机存储单元版图结构。

背景技术

随着半导体制造技术的发展，双口静态随机存储器单元广泛应用。为了保证器件管子的设计符合结构原理，同时最大可能摒弃弊端，如图1所示的传统双口静态随机存储器单元的版图结构，其中01为有源区，02为多晶硅，03为接触孔，05为包含有源区、多晶硅和接触孔的下拉管，04为包含有源区、多晶硅图形和接触孔的第一传输管，06为包含有源区、多晶硅和接触孔图形的第二传输管。其中下拉管05和第二传输管06需要通过共享通孔-接触孔03将下拉管的多晶硅和第二传输管的有源区连接在一起(即和反相器的栅极连接到另一端的内部节点)，在工艺上存在高风险可能。并且传统的双口静态随机存储器单元在光学临近矫正之后，如图2所示，图2显示为传统双口静态随机存储器单元的OPC仿真图，其受光学圆角效应影响，从而影响器件匹配。

因此，需要提出一种新的双口静态随机存储单元版图结构来解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种双口静态随机存储单元版图结构，用于解决现有技术中传统双口静态随机存储器单元，在进行光学邻近修正后，受光学圆角效应影响，从而影响器件匹配的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种双口静态随机存储单元版图结构，至少包括：下拉管版图结构、第一、第二传输管版图结构；所述下拉管版图结构、第一、第二传输管版图结构中分别包括：有源区图形和横跨在所述有源区图形上的多晶硅图形；位于所述有源区图形上且分布在所述多晶硅图形两侧的接触孔图形；所述下拉管版图结构的所述有源区图形与所述第一传输管版图结构的所述有源区图形连在一起，且二者共用一端接触孔图形；所述下拉管版图结构的所述有源区图形与所述第二传输管版图结构的所述有源区图形连在一起，且二者共用一端接触孔图形。

优选地，所述第一传输管版图结构的所述有源区图形与所述第二传输管版图结构的所述有源区图形分别位于所述下拉管版图结构的有源区图形下方的两侧。

优选地，所述下拉管版图结构中的所述接触孔图形分布在该下拉管版图结构中的多晶硅图形的上方和下方。

优选地，所述下拉管版图结构中分布在其多晶硅图形上方的接触孔图形的个数为一个。

优选地，所述下拉管版图结构中分布在其多晶硅图形下方的接触孔图形的个数为两个，该两个接触孔图形分别为与所述第一、第二传输管版图结构共用的接触孔图形。

优选地，所述第一、第二传输管版图结构的所述多晶硅图形连在一起，并且在各自有源区以外的连接区域通过多晶硅切断图形覆盖。

优选地，所述第一传输管和第二传输管版图结构的所述多晶硅图形上方的接触孔图形分别与所述下拉管版图结构共用，所述第一传输管和第二传输管版图结构的所述多晶硅图形下方的所述接触孔个数分别为一个。

优选地，所述下拉管版图结构、所述第一、第二传输管版图结构中的所述有源区图形为SRAM结构中的有源区图形。

优选地，所述下拉管版图结构、所述第一、第二传输管版图结构中的所述有源区图形为分别为与各自所述的多晶硅图形相交的数个条形结构。