[发明专利]一种用于化学钝化的系统

说明书

本发明公开了一种用于化学钝化的系统，包括气泡去除装置、样品载台、封口机构，气泡去除装置位于样品载台的上方，封口机构位于气泡去除装置的上方，气泡去除装置和样品载台的样品放置区对向设置，封口机构的封口部位与样品载台的封口区对向设置，样品载台用于在样品放置区放置待封口样品；气泡去除装置用于使钝化液体均匀地散布在待封口样品上，去除装载有待封口样品的封口膜中的气泡以及多余的钝化液体；封口机构用于将封口区中的封口膜进行封口。本发明的用于化学钝化的系统不需要人为去除封口膜中的气泡，可以精准地对封口膜进行塑封，提高了化学钝化的效果和效率，减少了因为操作人员水平问题造成的钝化效果之间的差异。

技术领域

本发明属于钝化技术领域，具体涉及一种用于化学钝化的系统。

背景技术

随着集成电路的集成度不断增大，对所需的衬底单晶硅片的质量要求也越来越高，人们常用非平衡态少数载流子寿命(少子寿命)来反映硅片质量的好坏。硅片的少子寿命是指：在大于半导体禁带宽度的能量(1.12eV)激励下，被激发的空穴-电子对少数载流子复合的平均时间。而金属和缺陷会成为有效的复合中心，当硅片中有较多的金属和缺陷时，会导致少子寿命大幅下降，所以少子寿命的长短能够反应硅片品质。

目前，检测硅片少子寿命的方法主要是微波光电导衰退法(Microwave Photo-Conductance Decay，μ-PCD)。微波光电导衰退法是利用大于硅禁带宽度的脉冲激光对硅片表面进行照射，产生的空穴-电子能够增大其光电导率，随着激光的撤除，光电导率呈指数衰退，利用微波反射强度的变化探测光电导率的变化，从而得出少子的寿命。但是由于硅片表面存在的悬挂键会成为有效的复合中心，导致测得的少子寿命并不是真实的硅片少子寿命。为了消除表面复合的影响，需要对硅片表面进行钝化。常用的钝化方法有氧化钝化、电荷沉积钝化、化学钝化。氧化钝化就是在氧化炉中进行热氧处理，硅片表面生长一层氧化层；电荷沉积钝化是通过电晕放电技术在硅片表面沉积与少子电性相同的电荷，来饱和悬挂键以及减少少子向表面扩散；化学钝化是在特殊材质的塑封袋(即封口膜)中用碘酒对硅片表面进行钝化，塑封过后进行测试。氧化钝化在氧化过程中容易引入新的污染，而电荷沉积钝化速度较慢并且致密性不高，而化学钝化能够更好地消除表面负荷的影响，成为主要的硅片表面钝化方法。

但是，在化学钝化的过程中，由于需要人为的将塑封袋中的气泡和多余的碘液去除，再将包裹硅片的长方形塑料袋多次塑封后变为包紧硅片的圆形，这样一来会产生处理时间较长、效率低下的问题，并且化学钝化的结果会由于操作人员水平的不同而产生差异，造成较大的误差。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种用于化学钝化的系统。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

一种用于化学钝化的系统，包括：可旋转的气泡去除装置、可旋转的样品载台和可上下移动的封口机构；

所述气泡去除装置位于所述样品载台的上方，所述封口机构位于所述气泡去除装置的上方，且所述气泡去除装置和所述样品载台的样品放置区对向设置，所述封口机构的封口部位与所述样品载台的封口区对向设置，其中，

所述样品载台用于在所述样品放置区放置待封口样品；

所述气泡去除装置用于在所述样品放置区与所述气泡去除装置之间的距离为预设距离时，使钝化液体均匀地散布在所述待封口样品上，并去除装载有所述待封口样品的封口膜中的气泡以及多余的所述钝化液体；

所述封口机构用于对所述封口区中的所述封口膜进行封口。

在本发明的一个实施例中，还包括第一移动机构，所述第一移动机构连接所述样品载台，以驱动所述样品载台进行上下移动。

在本发明的一个实施例中，所述第一移动机构包括第一伸缩件，所述第一伸缩件位于所述样品载台的下方，且所述第一伸缩件的一端与所述样品载台的下端面连接，以进行伸缩运动带动所述样品载台进行上下移动。