[发明专利]内存接口写入均衡的控制方法及装置有效
申请号: | 201911359007.1 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN111190540B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 叶佳星;傅祥;欧阳志光 | 申请(专利权)人: | 晶晨半导体(上海)股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴轶淳 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内存 接口 写入 均衡 控制 方法 装置 | ||
1.一种内存接口写入均衡的控制方法,其特征在于,包括:
将采样信号以预设延时步进发送至内存装置;
根据每一延时步进对应的所述采样信号的有效电平,生成第一预设长度的采样信息;
获取所述采样信息中有效电平之和最大的区域位置;
根据所述区域位置确定所述采样信号的写入均衡相位值。
2.根据权利要求1所述的内存接口写入均衡的控制方法,其特征在于,将采样信号以预设延时步进发送至内存装置,包括:
从所述采样信号的初始位置起始,每次增加预设延时步进,将所述采样信号发送至内存装置,直至延时步进达到第二预设长度。
3.根据权利要求1所述的内存接口写入均衡的控制方法,其特征在于,根据每一延时步进对应的所述采样信号的有效电平,生成第一预设长度的采样信息,包括:
对每一延时步进对应的采样信号进行N次采样,获取每一次采样的电平值;其中,N为奇数;
在N次采样中,将相同电平值的采样次数累加,将大于(N-1)/2的累加采样次数对应的电平值作为有效电平;
依据所述延时步进的顺序将每一所述延时步进对应的所述采样信号的有效电平组合,生成所述第一预设长度的采样信息。
4.根据权利要求1所述的内存接口写入均衡的控制方法,其特征在于,获取所述采样信息中有效电平之和最大的区域位置,包括:
在所述采样信息中获取第三预设长度的有效电平之和最大的区域位置。
5.根据权利要求1所述的内存接口写入均衡的控制方法,其特征在于,根据所述区域位置确定所述采样信号的写入均衡相位值,包括:
所述区域位置为起始点为有效电平为1的区域位置,根据所述区域位置的起始点对应的所述采样信号的延时步进,获取所述采样信号的写入均衡相位值。
6.一种内存接口写入均衡的控制装置,其特征在于,包括:
控制单元,用于将采样信号以预设延时步进发送至内存装置;
生成单元,用于根据每一延时步进对应的所述采样信号的有效电平,生成第一预设长度的采样信息;
获取单元,用于获取所述采样信息中有效电平之和最大的区域位置;
确定单元,用于根据所述区域位置确定所述采样信号的写入均衡相位值。
7.根据权利要求6所述的内存接口写入均衡的控制装置,其特征在于,所述控制单元用于从所述采样信号的初始位置起始,每次增加预设延时步进,将所述采样信号发送至内存装置,直至延时步进达到第二预设长度。
8.根据权利要求6所述的内存接口写入均衡的控制装置,其特征在于,所述生成单元包括:
采样模块,用于对每一延时步进对应的采样信号进行N次采样,获取每一次采样的电平值;其中,N为奇数;
处理模块,用于在N次采样中,将相同电平值的采样次数累加,将大于(N-1)/2的累加采样次数对应的电平值作为有效电平;
组合模块,用于依据所述延时步进的顺序将每一所述延时步进对应的所述采样信号的有效电平组合,生成所述第一预设长度的采样信息。
9.根据权利要求6所述的内存接口写入均衡的控制装置,其特征在于,所述获取单元用于在所述采样信息中获取第三预设长度的有效电平之和最大的区域位置。
10.根据权利要求6所述的内存接口写入均衡的控制装置,其特征在于,所述确定单元用于根据所述区域位置的起始点对应的所述采样信号的延时步进,获取所述采样信号的写入均衡相位值;所述区域位置为起始点为有效电平为1的区域位置。
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