[发明专利]一种提升P型双面电池双面率的背膜及其制备方法

权利要求书

1.一种提升P型双面电池双面率的背膜结构，包括电池片（1），所述电池片的背面依次沉积有氧化铝膜（2）、氮化硅膜（3）、氮氧化硅膜（4）、氧化硅膜（5），其特征在于：

所述氮化硅膜（3）包括上层氮化硅膜（31）、中层氮化硅膜（32）、下层氮化硅膜（33），所述上层氮化硅膜（31）的厚度小于所述中层氮化硅膜（32）的厚度，所述中层氮化硅膜（32）的厚度小于所述下层氮化硅膜（33）的厚度，所述上层氮化硅膜（31）的折射率大于所述中层氮化硅膜（32）的折射率，所述中层氮化硅膜（32）的折射率大于所述下层氮化硅膜（33）的折射率，所述氮化硅膜（3）的总膜厚为35至55纳米，所述氮化硅膜（3）的总折射率为2.12至2.20；

所述氮氧化硅膜（4）的厚度为8至18纳米、折射率为1.6至2.0；

所述氧化硅膜（5）的厚度11至21纳米、折射率1.4至1.6。

2.如权利要求1所述的提升P型双面电池双面率的背膜结构，其特征在于：所述氧化铝膜（2）厚度为8至12纳米、折射率为1.55至1.65。

3.如权利要求1所述的提升P型双面电池双面率的背膜结构，其特征在于：所述氧化铝膜（2）、所述氮化硅膜（3）、所述氮氧化硅膜（4）、所述氧化硅膜（5）相加的总膜厚为62至106纳米，折射率为1.75至2.15，膜色为淡蓝色。

4.一种如权利要求1至3任一所述的提升P型双面电池双面率背膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤；

步骤一，电池片前处理：将所述电池片（1）装入石墨舟中，并送入沉积炉管内，首先在所述电池片（1）背面上制备所述氧化铝膜（2）；

步骤二，背面制备氮化硅膜：在沉积炉管中进行所述氮化硅膜（3）的沉积，所述氮化硅膜（3）的沉积温度为400至500摄氏度，射频功率为10至15千瓦，占空比为1:10至1:15，炉管压力为1400至1800毫托；所述上层氮化硅膜（31）的沉积气体四氢化硅与氨气流量比为0.3:1至0.25:1，所述上层氮化硅膜（31）的沉积时间为60至100秒；所述中层氮化硅膜（32）的沉积气体四氢化硅与氨气流量比为0.20:1至0.15:1，所述中层氮化硅膜（32）的沉积时间为70至110秒；所述下层氮化硅膜（33）的沉积气体四氢化硅与氨气流量比为0.15:1至0.10:1，所述下层氮化硅膜（33）的沉积时间为80至120秒；

步骤三，背面制备氮氧化硅膜：在沉积炉管中进行所述氮氧化硅膜（4）的沉积，所述氮氧化硅膜（4）的沉积温度为400至500摄氏度，射频功率为7至10千瓦，占空比为1:12至1:15，炉管压力为1000至1400毫托，所述氮氧化硅膜（4）的沉积气体四氢化硅、氨气、一氧化二氮的流量比为0.6:1:1至0.4:1:1，所述氮氧化硅膜（4）的沉积时间为70至90秒；

步骤四，背面制备氧化硅膜：在沉积炉管中进行所述氧化硅膜（5）的沉积，所述氧化硅膜（5）的沉积温度为400至500摄氏度，射频功率为7至10千瓦，占空比为1:12至1:15，炉管压力为1000至1400毫托，所述氧化硅膜（5）的沉积气体四氢化硅与一氧化二氮流量比为0.10:1至0.08:1，所述氧化硅膜（5）的沉积时间为90至110秒。