[发明专利]一种提升P型双面电池双面率的背膜及其制备方法

说明书

本发明公开一种提升P型双面电池双面率的背膜结构，包括电池片，电池片的背面依次沉积有氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化硅膜，氮化硅膜包括上层氮化硅膜、中层氮化硅膜、下层氮化硅膜，上、中、下三层氮化硅膜的厚度逐渐升高，折射率逐渐降低，氮化硅膜的总膜厚为35至55纳米，氮化硅膜的总折射率为2.12至2.20，通过本发明改进背面膜层结构以及优化镀膜工艺，有效的降低电池片背面的反射率，增加光的吸收，提升P型双面SE PERC电池的背面转换效率，P型双面SE PERC电池的双面率由72.9%提至74.14%，显著提高了产品的质量。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种提升P型双面电池双面率的背膜及其制备方法。

背景技术

目前，随着环境问题和能源问题得到越来越多人的关注，太阳能电池作为一种清洁能源，人们对其研究开发利用已经进入到了一个新的阶段。为了降低晶硅成本，适应竞争激烈的光伏产业，晶硅电池厚度越来越薄，因为晶体硅是间隙带材料，光吸收系数小，由透射光引起的损失会随着硅片厚度的减小而增大，所以在晶硅日益减薄的今天，基于较薄晶硅的高效电池技术是各大企业与高校机构的研究重点。目前主要研究热点有HIT电池、WMT电池、N型双面电池、P型SE PERC电池等，其中P型SE PERC电池因其工艺相对成熟，量产难度低，已成为市场主流电池技术。

双面SE PERC太阳电池正、背面均可受光发电，其背面可收集10%-30%的太阳光，每W组件发电量可增加20%，每W度电成本可降低7%-10%。由于双面PERC技术与现有PERC产线的兼容性较高，适合大规模量产，是后PERC时代降本增效的热门技术。

因此改进背面膜层结构以及优化镀膜工艺，降低电池片背面的反射率，增加光的吸收，提升P型双面SE PERC电池的背面转换效率， 提高P型双面SE PERC电池的双面率，是目前行业所关注的重点。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：传统技术电池片背面的反射率低的问题。

本发明解决该技术问题采用的技术方案是：

一种提升P型双面电池双面率的背膜结构，包括电池片，所述电池片的背面依次沉积有氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化硅膜，其特征在于：

所述氮化硅膜包括上层氮化硅膜、中层氮化硅膜、下层氮化硅膜，所述上层氮化硅膜的厚度小于所述中层氮化硅膜的厚度，所述中层氮化硅膜的厚度小于所述下层氮化硅膜的厚度，所述上层氮化硅膜的折射率大于所述中层氮化硅膜的折射率，所述中层氮化硅膜的折射率大于所述下层氮化硅膜的折射率，所述上层氮化硅膜、所述中层氮化硅膜、所述下层氮化硅膜的总膜厚为35至55纳米，总折射率为2.12至2.20；

所述氮氧化硅膜的厚度为8至18纳米、折射率为1.6至2.0；

所述氧化硅膜的厚度11至21纳米、折射率1.4至1.6。

作为优选，所述氧化铝膜厚度为8至12纳米、折射率为1.55至1.65。

作为优选，所述氧化铝膜、所述氮化硅膜、所述氮氧化硅膜、所述氧化硅膜相加的总膜厚为62至106纳米，折射率为1.75至2.15，膜色为淡蓝色。

一种提升P型双面电池双面率背膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤；

步骤一，电池片前处理：将电池片装入石墨舟中，并送入沉积炉管内，首先在所述电池片背面上制备所述氧化铝膜；