[发明专利]一种低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构

权利要求书

1.一种低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构，其特征在于，包括：

介质基板(5)；

金属接地面(6)，所述金属接地面(6)覆在介质基板(5)下表面；

辐射贴片(1)，所述辐射贴片(1)覆在介质基板(5)上表面，辐射贴片(1)以介质基板(5)竖向的中轴线为中轴线左右对称，辐射贴片(1)材质为金属，辐射贴片(1)内开有第一弧形开环谐振器(2)；

微带馈线(9)，所述微带馈线(9)覆在介质基板(5)上表面，微带馈线(9)上端与辐射贴片(1)电连接，微带馈线(9)的中轴线与介质基板(5)竖向的中轴线重合，微带馈线(9)左侧的上部和下部分别设有第一类U形寄生带(10)和第二类U形寄生带(11)，微带馈线(9)右侧的上部和下部分别设有第三类U形寄生带(7)和第四类U形寄生带(8)；

第一类U形寄生带(10)下部边缘与第二类U形寄生带(11)上部边缘的间距为3.5mm；

第三类U形寄生带(7)下部边缘与第四类U形寄生带(8)上部边缘间距为0.9mm；

第一类U形寄生带连接臂(102)长度为6.1mm；

第二类U形寄生带连接臂(112)长度为6.5mm；

第三类U形寄生带连接臂(702)长度为6.5mm；

第四类U形寄生带连接臂(802)长度为6.6mm。

2.根据权利要求1所述的低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构，其特征在于，所述第一弧形开环谐振器(2)内的辐射贴片(1)上开设有第二弧形开环谐振器(3)，第一弧形开环谐振器(2)与第二弧形开环谐振器(3)的形状不同。

3.根据权利要求2所述的低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构，其特征在于，所述辐射贴片(1)为椭圆形；

所述第一弧形开环谐振器(2)为与辐射贴片(1)相似的椭圆形，第一弧形开环谐振器(2)的长轴与辐射贴片(1)的长轴重合，第一弧形开环谐振器(2)的短轴与辐射贴片(1)的短轴重合。

4.根据权利要求3所述的低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构，其特征在于，所述第二弧形开环谐振器(3)为圆形，第二弧形开环谐振器(3)的中心与辐射贴片(1)的圆心重合。

5.根据权利要求4所述的低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构，其特征在于，所述介质基板(5)材料采用Roggers5880，厚度为0.8mm，长为40mm，宽为38mm；

所述微带馈线(9)的宽度为1.9mm，长度为20.2mm，电阻为50Ω；

所述辐射贴片(1)的长轴长10mm，短轴长8mm；

所述第一弧形开环谐振器(2)的缺口弧长为4mm，第一弧形开环谐振器(2)的长度为42.6-44.6mm；

所述第二弧形开环谐振器(3)的缺口弧长为3mm，第二弧形开环谐振器(3)的长度为32.4-33.4mm；

所述第一类U形寄生带(10)总长度为17.4-18.4mm；

所述第二类U形寄生带(11)总长度为20.5-21.5mm；

所述第三类U形寄生带(7)总长度为15.5-16.5mm；

所述第四类U形寄生带(8)总长度为25.6-26.6mm。

6.根据权利要求5所述的低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构，其特征在于，第一弧形开环谐振器(2)的宽度为0.4mm，第二弧形开环谐振器(3)的宽度为0.5mm；

第一类U形寄生带(10)、第二类U形寄生带(11)、第三类U形寄生带(7)和第四类U形寄生带(8)的宽度为0.5mm。

7.根据权利要求6所述的低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构，其特征在于，第二类U形寄生带(11)与介质基板(5)下部边缘的间距为3.5mm，第四类U形寄生带(8)与介质基板(5)下部边缘的间距为3.4mm。

8.根据权利要求7所述的低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构，其特征在于，第一类U形寄生带(10)与微带馈线(9)的间距为0.35mm,第二类U形寄生带(11)与微带馈线(9)的间距为0.55mm,第三类U形寄生带(7)与微带馈线(9)的间距为0.55mm，第四类U形寄生带(8)与微带馈线(9)的间距为0.55mm。