[发明专利]用于辐射检查的探测器及探测装置

说明书

本申请提供了一种用于辐射检查的探测器，包括：灵敏介质，被配置为与入射到探测器的入射光进行反应，从而产生高能辐射光和低能辐射光；高能光电转换器件，可以被配置为设置在所述灵敏介质的远离所述入射光的一端处，用于探测所述高能辐射光；以及，低能光电转换器件，可以被配置为设置在所述灵敏介质的靠近所述入射光的一端处，用于探测所述低能辐射光。

技术领域

本发明涉及辐射检查/识别领域，并且更具体地，涉及一种包括用于辐射检查的双读出探测器在内的探测器及探测装置。

背景技术

目前通常利用X射线束脉冲照射被检物体来识别被检物体的材料。当X射线束脉冲穿透被检物体之后，其能谱会发生变化，这些变化和被检物体的材料组成有关，因而测量这些变化就能实现被检物体的材料识别。随着技术的不断发展，现在主要采用兆伏级的X射线检查系统来获取更清晰的图像以及更多的物质组成信息，从而对被检物体的材料进行识别。

发明内容

在本申请的第一方面中，提供了一种用于辐射检查的探测器，可以包括：灵敏介质，被配置为与入射到探测器的入射X射线发生作用，从而产生高能辐射光和低能辐射光；高能光电转换器件，被配置为设置在所述灵敏介质的远离所述入射光的一端处，用于探测所述高能辐射光；以及，低能光电转换器件，被配置为设置在所述灵敏介质的靠近所述入射光的一端处，用于探测所述低能辐射光。

根据本申请的第一方面，探测器还可以包括反光层，其设置在所述灵敏介质外表，且是表面抛光的。

根据本申请的第一方面，探测器还可以第一数据读出电路，被配置为与所述高能光电转换器件连接，用于将所述高能光电转换器件所探测的高能辐射光转换为数字信号；以及第二数据读出电路，被配置为与所述低能光电转换器件连接，用于将所述低能光电转换器件所探测的低能辐射光转换为数字信号。

根据本申请的第一方面，所述灵敏介质可以具有使得对所述入射光的总探测效率大于80％的质量厚度。

根据本申请的第一方面，所述灵敏介质对所述高能辐射光和所述低能辐射光的折射率可以大于2.0。

根据本申请的第一方面，其中，所述灵敏介质可以是由闪烁光衰减时间大于所述入射光的脉冲宽度的材料形成的。

根据本申请的第一方面，其中，所述灵敏介质可以具有抛光的外表面。

根据本申请的第一方面，其中，所述灵敏介质外表面可以涂覆有反光物质。

根据本申请的第一方面，其中，所述入射光的脉冲宽度可以小于10μs。

根据本申请的第一方面，其中，所述入射光是由电子加速器产生的X射线束脉冲，所产生的X射线光子的范围为最低到500keV以下，最高到电子束的能量。

根据本申请的第一方面，其中，所述高能辐射光包括高能闪烁光和切伦科夫辐射光，所述低能辐射光包括低能闪烁光。

在本申请的第二方面中，提供了一种用于辐射探测的探测装置，可以包括：辐射源，被配置为向被检对象辐射光；以及，由根据本申请的第一方面所述的探测器组成的阵列，被配置为对穿过所述被检物体的辐射光进行探测。

根据本申请的各个方面，所提出的探测器和探测装置有效提升探测效率和总的闪烁光收集、增加光收集。此外，本申请所提出的探测器和探测装置不要求切伦科夫信号与闪烁光信号完全分离，可以有效降低探测难度和探测成本。

附图说明

图1中示出了根据本发明实施例的用于探测被检物体的材料的探测装置的示意性框图。

图2示出了根据本发明实施例的X射线能谱的示意性图示。

图3A示出了根据本发明实施例的X辐射束的示例性图示。

图3B示出了四种材料的质量衰减系数的示例性图示。