[发明专利]过抹除校正方法及使用该方法的存储器装置

权利要求书

1.一种过抹除校正方法，用于存储器装置中，所述存储器装置包含多个存储器区块，每个存储器区块包含多行的存储器单元，每一行存储器单元耦接于一对应位线，所述过抹除校正方法包含：

在电力开启序列完成后，检测一组存储器区块中多个对应行的漏电流是否大于预定水平，其中所述组存储器区块包含所述多个存储器区块的(i+1)个存储器区块，i为正整数；及

若所述组存储器区块中的所述多个对应行的所述漏电流大于所述预定水平时，对所述多个对应行执行过抹除校正。

2.根据权利要求1所述的过抹除校正方法，其中检测所述组存储器区块中所述多个对应行的所述漏电流是否大于所述预定水平包含：

同时选择耦接于所述多个对应行的多条位线以检测所述漏电流。

3.根据权利要求1所述的过抹除校正方法，其中所述组存储器区块包含两个或更多个存储器区块。

4.根据权利要求1所述的过抹除校正方法，其中对所述多个对应行执行过抹除校正包含：

施加至少一个过抹除校正脉冲至所述多个对应行。

5.一种过抹除校正方法，用于存储器装置中，所述存储器装置包含多个存储器区块，每个存储器区块包含多行的存储器单元，每一行存储器单元耦接于对应位线，所述过抹除校正方法包含：

在电力开启序列完成后，检测一组存储器区块中的多个对应行的漏电流是否大于预定水平；

若所述组存储器区块中的所述多个对应行的所述漏电流大于所述预定水平时，检测所述组存储器区块中的哪个存储器区块是漏电存储器区块，其中所述组存储器区块包含所述多个存储器区块的(i+1)个存储器区块，i为正整数；及

对所述漏电存储器区块的对应行执行过抹除校正。

6.根据权利要求5所述的过抹除校正方法，其中检测所述组存储器区块中的哪个存储器块是所述漏电存储器区块包含：

选择位线，所述位线耦接于所述组存储器区块中的存储器区块的一对应行，同时取消选择多条位线，所述多条位线耦接于所述组存储器区块中的剩余存储器区块的多个对应行，以检测所述存储器区块是否为所述漏电存储器区块。

7.根据权利要求5所述的过抹除校正方法，还包含：

判断所述漏电存储器区块的所述对应行之后的所述漏电存储器区块的后续行是否具有漏电流。

8.根据权利要求7所述的过抹除校正方法，还包含：

若所述漏电存储器区块的所述后续行具有所述漏电流，对所述漏电存储器区块的所述后续行执行过抹除校正。

9.根据权利要求5所述的过抹除校正方法，其中对所述漏电存储器区块的所述对应行执行所述过抹除校正包含：

施加至少一过抹除校正脉冲至所述漏电存储器区块的所述对应行，直到所述对应行的所述漏电流小于所述预定水平为止。

10.一种存储器装置，包含：

多条位线；

组存储器区块，耦接于所述多条位线，包含(i+1)个存储器区块，i为正整数，每个存储器区块包含多行的存储器单元及多个区块选择开关，所述多个区块选择开关分别耦接于所述多行的存储器单元，每一行存储器单元耦接于对应位线；及

控制器，耦接于所述组存储器区块，及用以在电力开启序列完成后，选择所述多个区块选择开关以检测所述组存储器区块中多个对应行的漏电流是否大于预定水平。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中若所述组存储器区块中所述多个对应行的所述漏电流大于所述预定水平，所述控制器还用以施加至少一过抹除校正脉冲至所述多个对应行。

12.根据权利要求10所述的存储器装置，还包含传感电路，耦接于所述控制器，其中所述控制器还用以同时选择耦接于所述多个对应行的多条位线以使所述传感电路检测所述漏电流。