[发明专利]过抹除校正方法及使用该方法的存储器装置

说明书

存储器装置包含多个存储器区块，每个存储器区块包含多行的存储器单元，每一行存储器单元耦接于对应位线。在电力开启序列完成后，检测一组存储器区块中多个对应行的漏电流是否大于预定水平，其中该组存储器区块包含多个存储器区块的(i+1)个存储器区块，i为正整数。若该组存储器区块中的多个对应行的漏电流大于预定水平时，对多个对应行执行过抹除校正。

技术领域

本发明关于一种存储器装置，特别是一种过抹除校正方法及使用该方法的存储器装置。

背景技术

闪存广泛应用于各种电子装置以提供非挥发性的数据存储。闪存包含存储器区块，可供编程、抹除及读取，每个存储器区块可设为抹除状态或编程状态。

在抹除操作中，通常是以存储器区块为单位，首先被预编程至编程状态以将一存储器区块的所有存储器单元设于已知水平，接着施加抹除脉冲至存储器区块一定时间以除去存储器区块之存储器单元的电荷以将存储器区块设为抹除状态，最后施加过抹除校正至存储器区块以缩小存储器区块中存储器单元的临界值电压的分布。然而闪存于过抹除校正完成前被关闭时，过抹除的存储器单元将保持未校正状态，在电力开启后，由于过抹除的存储器单元会持续抽取背景漏电流，而导致从闪存读取的数据发生错误。例如，对于耦接于同一条位线的512个存储器单元，若位线上有大量被过抹除的存储器单元，而且被过抹除的存储器单元在未被选定时持续抽取漏电流，在位线上累积的电流可能超过存储器单元读取电流，造成从闪存读取的数据发生错误。此外，漏电流可能在编程过程中造成功率损耗及使位线供电过载。

因此需要提供一种过抹除校正方法及使用该方法的存储器装置，用以在电力开启后执行快速的过抹除校正，从而减少不必要的功耗损失，减少错误的数据读取及提高编程性能。

发明内容

本发明实施例提供一种过抹除校正方法，用于存储器装置中。存储器装置包含多个存储器区块，每个存储器区块包含多行的存储器单元，每行存储器单元耦接于对应位线。过抹除校正方法包含在电力开启序列完成后，检测一组存储器区块中多个对应行的漏电流是否大于预定水平，其中该组存储器区块包含多个存储器区块的(i+1)个存储器区块，i为正整数；及若该组存储器区块中的多个对应行的漏电流大于预定水平时，对多个对应行执行过抹除校正。

本发明实施例提供另一种过抹除校正方法，存储器装置包含多个存储器区块，每个存储器区块包含多行的存储器单元，每行存储器单元耦接于对应位线。过抹除校正方法包含在电力开启序列完成后，检测一组存储器区块中的多个对应行的漏电流是否大于预定水平，其中该组存储器区块包含多个存储器区块的(i+1)个存储器区块，i为正整数，若该组存储器区块中的多个对应行的漏电流大于预定水平时，检测组存储器区块中的哪个存储器区块是漏电存储器区块；及对漏电存储器区块的对应行执行过抹除校正。

本发明实施例提供另一种存储器装置，包含多条位线、一组存储器区块及控制器。该组存储器区块耦接于多条位线，包含(i+1)个存储器区块，i为正整数，每个存储器区块包含多行的存储器单元及多个区块选择开关，多个区块选择开关分别耦接于多行的存储器单元，每行存储器单元耦接于对应位线。控制器耦接于该组存储器区块，及用以在电力开启序列完成后，选择多个区块选择开关以检测组存储器区块中多个对应行的漏电流是否大于预定水平。

附图说明

图1是根据本发明实施例的存储器装置的方块图。

图2显示图1中存储器装置的抹除状态的临界值电压分布曲线。

图3是图1中存储器装置使用的过抹除校正方法的流程图。

图4是图1的存储器装置的存储器区块的示意图。

图5是图1中存储器装置中使用的另一过抹除校正方法的流程图。

图6是图1中存储器装置中使用的另一过抹除校正方法的流程图。

具体实施方式