[发明专利]阵列基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201911370884.9 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN110941126B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 余佳佳 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 吕姝娟
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底、位于所述衬底上的驱动电路层、位于所述驱动电路层上的像素电极层,所述像素电极层通过第一过孔与所述驱动电路层电连接,所述像素电极层还包括位于所述第一过孔内的至少一第二过孔,所述第二过孔使部分所述驱动电路层裸露;

所述阵列基板包括由多条扫描线及多条数据线分割而成的多个驱动区,所述驱动区包括像素发光区和像素非发光区;

所述像素电极层包括位于所述像素发光区的第一像素区和位于所述像素非发光区的第二像素区,所述第一像素区内的像素电极通过所述第二像素区内的像素电极与所述驱动电路层电连接,所述第二过孔位于所述像素非发光区内;

其中,所述第一像素区内设置有第一主干电极、与所述第一主干电极垂直设置的第二主干电极、及与所述第一主干电极或所述第二主干电极电连接的多条分支电极,所述第一主干电极或/和所述第二主干电极上还设置有多个第三过孔,所述第三过孔的孔径与所述第二过孔的孔径相等。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,

所述驱动电路层包括栅极层和源漏极层;

所述栅极层包括多条所述扫描线和栅极,所述源漏极层包括源/漏极和与所述扫描线垂直设置的多条所述数据线;

所述阵列基板还包括位于所述源漏极层与所述像素电极之间的第一绝缘层,所述第一过孔位于所述第一绝缘层上;

所述像素电极层通过第一过孔与所述源/漏极电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括靠近所述第一过孔设置的多个第四过孔,所述第四过孔贯穿所述像素电极层及所述第一绝缘层,所述第四过孔使部分所述源/漏极裸露。

4.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:

在衬底上形成驱动电路层;

在所述驱动电路层上形成第一绝缘层;

在所述第一绝缘层上形成第一过孔,以使所述驱动电路层的第一部分裸露;

在所述第一绝缘层上形成像素电极层,以使所述像素电极层通过所述第一过孔与所述驱动电路层电连接;

在所述像素电极层中所述第一过孔对应的区域形成第二过孔,以使所述像素电极层的第二部分裸露;

所述阵列基板包括由多条扫描线及多条数据线分割而成的多个驱动区,所述驱动区包括像素发光区和像素非发光区;

所述像素电极层包括位于所述像素发光区的第一像素区和位于所述像素非发光区的第二像素区,所述第一像素区内的像素电极通过所述第二像素区内的像素电极与所述驱动电路层电连接,所述第二过孔位于所述像素非发光区内;

其中,所述第一像素区内设置有第一主干电极、与所述第一主干电极垂直设置的第二主干电极、及与所述第一主干电极或所述第二主干电极电连接的多条分支电极,所述第一主干电极或/和所述第二主干电极上还设置有多个第三过孔,所述第三过孔的孔径与所述第二过孔的孔径相等。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,

在衬底上形成驱动电路层的步骤包括:

在所述衬底上形成栅极层;

在所述栅极层上形成源漏极层;或者

在所述衬底上形成源漏极层;

在所述源漏极层上形成栅极层;

其中,所述栅极层包括多条所述扫描线和栅极,所述源漏极层包括源/漏极和与所述扫描线垂直设置的多条所述数据线;

所述阵列基板还包括位于所述源漏极层与所述像素电极之间的第一绝缘层,所述第一过孔位于所述第一绝缘层上;

所述像素电极层通过第一过孔与所述源/漏极电连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,

所述阵列基板的制作方法还包括:

在靠近所述第一过孔的区域形成多个第四过孔;

其中,所述第四过孔贯穿所述像素电极层及所述第一绝缘层,所述第四过孔使部分所述源/漏极裸露。

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