[发明专利]一种微型LED发光器件及其制备方法有效
申请号: | 201911371985.8 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN110767795B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 孙雷蒙;杨丹;刘芳;李坤 | 申请(专利权)人: | 华引芯(武汉)科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L21/683;H01L25/075;B41F15/36;B41F15/44 |
代理公司: | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人: | 张宇娟 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微型 led 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种微型LED发光器件,包括RGB芯片组、导电接触器、包覆体和保护层,所述RGB芯片组包括并联的R芯片、B芯片和G芯片,所述RGB芯片组与所述导电接触器电性连接,所述包覆体包括第一包覆体和第二包覆体,所述第一包覆体在水平方向包裹所述导电接触器,所述第二包覆体在水平方向包裹所述RGB芯片组,所述保护层上表面具有图形粗化面并设置于所述RGB芯片组和所述第二包覆体上方。相比于传统的LED显示模组,本发明的微型LED发光器件通过制作导电接触器摒弃了传统的支架封装,可缩小封装体积、简化封装工艺。使用本发明提供的制备方法,可以得到良率和可靠性较高的微型LED器件。
技术领域
本发明涉及LED封装领域,尤其涉及一种微型LED发光器件及其制备方法。
背景技术
在室内中高端显示市场,DLP背投显示为主流技术,但DLP技术有着天然的缺陷。首先,DLP背投显示根本无法消除显示单元之间的1毫米拼缝,可以最少吞噬掉一个显示像素。其次,DLP在色彩表现力方面也逊色于直接发光的LED显示屏。尤为不足的是,由于DLP显示单元之间的差异,造成了整个显示屏的色彩和亮度的均匀性很难掌控,随着产品运行时间的增加,单元之间差异也会越来越大,拼缝很难保持一致,并且会越来越明显。而单元之间存在的色彩差异以及拼缝的调整问题,使得产品在后期进行维护维修比较困难。随着LED显示屏制造技术的提高,室内高密度小间距LED显示屏应运而生,是指LED显示单元点间距在P2.5及以下的室内LED显示屏,主要包括P2.5、P2.083、P1.923、P1.8、P1.667、P1.5、P1.25、P1.0等LED显示屏产品,其特点是屏的点间距小,单位面积的分辨率高,可以显示更高清晰度的图形图像和视频,也可以显示更多路的视频和图像画面,且显示色彩自然真实,尤其是在图像拼接方面的运用,可以做到无缝和任意大面积拼接。
户内显示屏应用最多的是三基色LED器件,例如目前体积极小的、规格为1010的三基色LED,能做出点间距达到P2.0以下户内显示屏,大大提高户内显示屏分辨率。然而,现在市场上主流的三基色LED器件的封装体为PCT/EMC/PPA等材料,受支架厂技术与市场化材料规格的限制,封装体载板的尺寸厚度无法进一步做小,则三基色LED器件的封装体积无法进一步缩小,显示屏的点间距随之优化困难。在如今,高端LED显示屏应用具有微小间距、模块化封装、可量产化等要求,如何在提高良率的基础上生产出尺寸更小的封装体成为目前LED封装技术的最大难点。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种微型LED发光器件,其特征在于,包括RGB芯片组、导电接触器、包覆体和保护层,所述RGB芯片组包括并联的R芯片、G芯片和B芯片,所述导电接触器由第一导电接触器和并排设置的第二导电接触器、第三导电接触器、第四导电接触器构成,所述RGB芯片组与所述导电接触器电性连接,所述包覆体包括第一包覆体和第二包覆体,所述第一包覆体在水平方向包裹所述导电接触器,所述第二包覆体在水平方向包裹所述RGB芯片组,所述保护层上表面具有图形粗化面并设置于所述RGB芯片组和所述第二包覆体上方。
进一步地,所述第一导电接触器长300~380μm,宽70~160μm,所述第二导电接触器与所述第三导电接触器、所述第四导电接触器形状、大小相同,长70~160μm,宽80~120μm。
本发明还提供一种微型LED发光器件的制备方法,其特征在于,具体步骤包括:
S01 形成导电接触器阵列
预制导电接触器并固定,形成导电接触器阵列,所述导电接触器阵列由第一导电接触器列和第二导电接触器、第三导电接触器、第四导电接触器列交替排列构成;
S02 固定第一丝印网板
固定第一丝印网板,所述第一丝印网板上的若干个通孔与所述导电接触器一一对应,且厚度相同;
S03 涂布、固化第一包覆体
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