[发明专利]探测装置在审
申请号: | 201911372048.4 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN113053774A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 刘俊良 | 申请(专利权)人: | 迪科特测试科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 215125 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 探测 装置 | ||
1.一种探测装置,包括:
一夹具,经配置用以支撑一受测装置;以及
一操纵器,布置在该夹具上方并包括从该操纵器朝向该夹具突出的许多探针,
其中,该夹具包括面向该操纵器的一粗糙化表面。
2.如权利要求1所述的探测装置,其中,利用激光表面粗糙化操作或化学蚀刻来制备该粗糙化表面,从而让该夹具的一表面一贯地粗糙化,以成为该粗糙化表面。
3.如权利要求1所述的探测装置,其中,该粗糙化表面为一无氧化物表面、一镀镍表面或一镀金表面。
4.如权利要求1所述的探测装置,其中,该粗糙化表面包括从该夹具朝向该操纵器突出的许多突出物,或来自该夹具的许多挖插件。
5.如权利要求4所述的探测装置,其中,所述许多突出物的高度彼此一致。
6.如权利要求4所述的探测装置,其中,所述许多突出物每一者都具有大约次微米至大约数百微米的高度。
7.如权利要求4所述的探测装置,其中,所述许多突出物每一者都包括与该受测装置的一表面接触的一突出、山峰或锐边。
8.如权利要求4所述的探测装置,其中,该粗糙化表面包括该夹具的内形成的许多凹槽,并且所述许多突出物与所述许多凹槽交错布置。
9.如权利要求1所述的探测装置,另包括由该夹具的该粗糙化表面与面向该粗糙化表面的该受测装置表面所界定的许多凹陷。
10.如权利要求9所述的探测装置,其中,该受测装置的该表面大体上为平坦表面。
11.如权利要求1所述的探测装置,其中,该夹具的整个粗糙化表面的粗糙度都一致。
12.如权利要求1所述的探测装置,其中,该粗糙化表面的一第一部分的一第一粗糙度大体上等于与该第一部分相邻的该粗糙化表面中一第二部分的一第二粗糙度。
13.如权利要求1所述的探测装置,其中,该粗糙化表面涂上一金属材料。
14.如权利要求13所述的探测装置,其中,该金属材料包括金或镍。
15.如权利要求1所述的探测装置,其中该受测装置为一半导体装置或一晶圆。
16.一种操作一探测装置的方法,包括:
提供包括一粗糙化表面的一夹具;
将一受测装置放置在该夹具的该粗糙化表面上;
在该受测装置和该夹具上方提供一操纵器;以及
通过许多从该操纵器突出的探针来探测该受测装置。
17.如权利要求16所述的方法,其中,该放置该受测装置包括朝向该夹具的该粗糙化表面抽吸该受测装置。
18.如权利要求16所述的方法,其中,通过使用激光移除或熔化部分该夹具的表面来制备该粗糙化表面。
19.如权利要求16所述的方法,另包括:
修改该夹具的一表面,以形成其上包括许多突出物的该粗糙化表面;或
通过该夹具的该粗糙化表面,将一电流传输至该DUT。
20.如权利要求16所述的方法,其中,在布置该受测装置之后,由该受测装置和该夹具的该粗糙化表面形成许多凹陷,并且在所述许多凹陷的一或多者之内沉积污染物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造