[发明专利]探测装置在审
申请号: | 201911372048.4 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN113053774A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 刘俊良 | 申请(专利权)人: | 迪科特测试科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 215125 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 探测 装置 | ||
本发明公开一种探测装置,包括一夹具,经配置用以支撑一受测装置(DUT);以及一操纵器或探测卡,布置在该夹具上方并包括从该操纵器朝向该夹具突出的许多探针,其中该夹具包括一粗糙化表面以及用于放置晶圆的真空抽吸孔。
技术领域
本发明涉及一种探测装置,其包括配置用以在其上支撑受测装置(DUT,deviceunder test)的一夹具,尤其涉及具有一粗糙化表面配置用以支撑该DUT的该夹具。进一步,本发明涉及操作该探测装置来探测布置在一夹具上的该DUT的方法,并且尤其涉及一种探测布置在该夹具的一粗糙化表面上的该DUT和用于放置晶圆的真空抽吸孔的方法。
背景技术
像是晶圆这类半导体装置在制造之后,会通过探测装置的测试。然而,在制造和晶圆处理过程中,可能不期望地产生残留物、污染物、颗粒或碎片并滴到半导体装置上。这些不需要的材料会减少晶圆背面与支撑晶圆的夹具间的接触,如图1所示。另外,晶圆背面的不平坦度也可能不利地影响晶圆背面与夹具之间的接触。进一步,具有平坦表面的夹具也可能减少晶圆背面与夹具之间的接触。晶圆背面与夹具之间必须有良好的接触,特别是在测试过程中使用大电流(例如高达数百安培)的情况下。这样,晶圆背面与夹具之间接触不良将不利地影响半导体装置的测试。因此会降低半导体装置的测试精确度。
进一步的要求是用于探测特别是大功率晶体、二极管等的薄晶圆。在背面与夹具之间具有气隙的薄晶圆将由于探针的探测力而导致破裂。这种薄晶圆需要从夹具到晶圆背面有良好且适当的支撑,以防止与晶圆接触的探针损坏或晶圆破损。
因此,持续需要改进探测装置的构造。
本“发明背景讨论”段落仅提供背景信息。本发明背景技术讨论中的陈述并非承认本发明背景技术讨论部分中公开的主题构成本公开的现有技术,并且本发明背景技术讨论部分中的任何部分都不能用作对本说明书任何部分的承认,包括发明背景技术部分的讨论,构成本发明的现有技术。
发明内容
本发明的一个实施方式提供一种探测装置。该探测装置包括一夹具,经配置用以支撑一受测装置(DUT);以及一操纵器或探测卡,布置在该夹具上方并包括从该操纵器朝向该夹具突出的许多探针,其中该夹具包括一粗糙化表面以及用于放置晶圆的真空抽吸孔。
在一些具体实施例中,利用激光表面粗糙化操作或任何其他化学、机械等处理来制备该粗糙化表面,从而让该夹具的一表面一贯地粗糙化,以成为该粗糙化表面。
在一些具体实施例中,该粗糙化表面为一无氧化物表面、一镀镍表面、一镀金表面或镀任何材料的表面。
在一些具体实施例中,该粗糙化表面包括从该夹具朝向该操纵器或探测卡突出的许多突出物。另外,这可为来自该夹具平坦表面的挖插件。尺寸变化的粒度、粗糙度、接触面积将取决于实际操作需求,并且全部包含在本发明中。
在一些具体实施例中,所述许多突出物的高度彼此一致,并且可依照测试需求具有不同高度或任何形状。
在一些具体实施例中,所述许多突出物的每一者都具有大约次微米至大约数百微米的高度,并且在一个夹具之内的尺寸变化甚至可以是不规则的,以满足不同的要求。
在一些具体实施例中,所述许多突出物的每一者都包括与该DUT的一表面接触的一突出、山峰或锐边。
在一些具体实施例中,该粗糙化表面包括该夹具之内形成的许多凹槽,其中所述许多突出物与所述许多凹槽交错布置。
在一些具体实施例中,该探测装置另包括由该夹具的该粗糙化表面与面向该粗糙化表面的该DUT表面所界定的许多凹陷。
在一些具体实施例中,该DUT的表面大体上为平坦表面。
在一些具体实施例中,该夹具的该整个粗糙化表面的粗糙度都一致。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造