[发明专利]晶圆及其切割方法

权利要求书

1.一种晶圆的切割方法，其特征在于，所述晶圆的切割方法包括以下步骤：

对晶圆片的第一表面进行研磨，以将所述晶圆片的厚度减薄至目标厚度，所述晶圆片包括相对设置的第一表面以及第二表面，所述第二表面设有电路，所述第一表面在研磨过程中采用超纯水进行清洗；

对减薄后的所述晶圆片的第一表面进行激光隐形切割。

2.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述对晶圆片的第一表面进行研磨的步骤包括：

在晶圆片的第二表面覆盖粘接第一保护膜；

采用减薄设备对所述第一表面进行研磨。

3.如权利要求2所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述对减薄后的所述晶圆片的第一表面进行激光隐形切割的步骤包括：

固定减薄后的所述晶圆片；

对固定后的所述晶圆片的第一表面进行激光隐形切割。

4.如权利要求3所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述固定减薄后的所述晶圆片，对固定后的所述晶圆片的第一表面进行激光隐形切割的步骤包括：

将减薄后的所述晶圆片放置于钢环内，并在所述第一表面粘接第二保护膜，所述第二保护膜粘接所述钢环；

去除所述第二表面上的第一保护膜，并在所述第二表面粘接第三保护膜，所述第三保护膜粘接所述钢环；

去除所述第一表面上的第二保护膜，并在所述晶圆片的第一表面进行激切割。

5.如权利要求4所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述在所述晶圆片的第一表面进行激切割的步骤之后，还包括：

在所述第一表面粘接第四保护膜，所述第四保护膜粘接所述钢环；

去除所述第二表面上的第三保护膜，并对激光隐形切割后的所述晶圆片进行扩片。

6.如权利要求5所述的晶圆的切割方法，其特征在于，扩片后的所述晶圆片中各个芯片颗粒之间的间隙为20μm～80μm，激光隐形切割后的晶圆片形成多个芯片颗粒。

7.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆由权利要求1-6任一项所述晶圆的切割方法制备得到。

8.如权利要求7所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆中各个芯片颗粒之间的间隙为20μm～80μm。