[发明专利]晶圆及其切割方法

说明书

本发明公开一种晶圆的切割方法，所述晶圆的切割方法包括以下步骤：对晶圆片的第一表面进行研磨，以将所述晶圆片的厚度减薄至目标厚度，所述晶圆片包括相对设置的第一表面以及第二表面，所述第二表面设有电路，所述第一表面在研磨过程中采用超纯水进行清洗；对减薄后的所述晶圆片的第一表面进行激光隐形切割。本发明还提供一种晶圆。本发明提高了由切割晶圆制成的基板电路的良率。

技术领域

本发明涉及晶圆加工技术领域，特别涉及一种晶圆及其切割方法。

背景技术

随着半导体产业的发展，晶圆单位面积内产出的芯片颗粒越多，就能够产生更多的获益，可通过减少切割道宽度来降低切割道所占用面积，增加芯片颗粒数量。

示例性技术中，采用激光隐形切割工艺对晶圆进行切割。激光隐形切割工艺指的是将一定波长激光束通过聚焦穿透晶圆的硅层，并在硅材料内部聚焦产生高温消融形成改质层，改质层形成的同时会产生垂直裂纹，通过多次扫描完成隐形切割，再研磨减薄扩片完成晶圆的加工得到已切割晶圆。但是用激光隐形切割工艺先切割晶圆，再对切割后的晶圆进行研磨，使得研磨后芯片颗粒之间的间隙有硅粉存在，对于传感器芯片是一个非常大的隐患，硅粉脱落后会影响传感器的功能和可靠性，使得已切割晶圆在做芯片迈入基板时会导致基板污染或基板电路与芯片连接不良，导致基板电路的良率较低。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种晶圆及其切割方法，旨在解决基板电路的良率的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种晶圆的切割方法，所述晶圆的切割方法包括以下步骤：

对晶圆片的第一表面进行研磨，以将所述晶圆片的厚度减薄至目标厚度，所述晶圆片包括相对设置的第一表面以及第二表面，所述第二表面设有电路，所述第一表面在研磨过程中采用超纯水进行清洗；

对减薄后的所述晶圆片的第一表面进行激光隐形切割。

在一实施例中，所述对晶圆片的第一表面进行研磨的步骤包括：

在晶圆片的第二表面覆盖粘接第一保护膜；

采用减薄设备对所述第一表面进行研磨。

在一实施例中，所述对减薄后的所述晶圆片的第一表面进行激光隐形切割的步骤包括：

固定减薄后的所述晶圆片；

对固定后的所述晶圆片的第一表面进行激光隐形切割。

在一实施例中，所述固定减薄后的所述晶圆片，对固定后的所述晶圆片的第一表面进行激光隐形切割的步骤包括：

将减薄后的所述晶圆片放置于钢环内，并在所述第一表面粘接第二保护膜，所述第二保护膜粘接所述钢环；

去除所述第二表面上的第一保护膜，并在所述第二表面粘接第三保护膜，所述第三保护膜粘接所述钢环；

激光隐形切割

去除所述第一表面上的第二保护膜，并在所述晶圆片的第一表面进行激切割。

在一实施例中，所述在所述晶圆片的第一表面进行激切割的步骤之后，还包括：

在所述第一表面粘接第四保护膜，所述第四保护膜粘接所述钢环；

去除所述第二表面上的第三保护膜，并对激光隐形切割后的所述晶圆片进行扩片。

在一实施例中，扩片后的所述晶圆片中各个芯片颗粒之间的间隙为20μm～80μm，激光隐形切割后的晶圆片形成多个芯片颗粒。

为实现上述目的，本发明还提供一种晶圆，所述晶圆由权利要求1-6任一项所述晶圆的切割方法制备得到。