[发明专利]一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构有效
| 申请号： | 201911375082.7 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111158040B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李立华;李玮;刘蕴韬;徐鹍;莫玉俊 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | G01T1/36 | 分类号： | G01T1/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102413 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 反康谱仪康普顿 抑制 因子 布局 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，其特征在于：包括主晶体和外围晶体；所述外围晶体设置于所述主晶体周围；所述主晶体的光子入射方向的对侧也设置有外围晶体；
所述外围晶体为圆柱形，设置有主晶体入口和光子入射口，所述光子入射口沿光子入射方向的投影不在所述主晶体入口的覆盖范围内；
所述主晶体入口设置于所述外围晶体一端，所述外围晶体另一端封闭；所述光子入射口设置于所述外围晶体的侧面。
2.如权利要求1所述的提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，其特征在于：所述光子入射口设置于外围晶体侧面上所述主晶体中部所对应的位置。
3.如权利要求1所述的提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，其特征在于：所述主晶体为高纯锗，所述外围晶体为锗酸铋或碘化钠。
4.如权利要求3所述的提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，其特征在于：所述外围晶体为锗酸铋，所述外围晶体的直径为127mm，高为127mm。
5.如权利要求1-4任一所述的提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，其特征在于：所述外围晶体外侧还设置有铅屏蔽层。
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