[发明专利]一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构

说明书

本发明涉及一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，包括主晶体和外围晶体；所述外围晶体设置于所述主晶体周围；所述主晶体的光子入射方向的对侧也设置有外围晶体。本发明的有益效果如下：本发明通过改变反康谱仪的布局结构，提高了康普顿抑制因子，从而提升了反康谱仪的效果，使其对单逃逸峰和双逃逸峰的抑制效果也有了明显的提高。

技术领域

本发明属于核工业领域，具体涉及一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构。

背景技术

反康谱仪能有效降低由于康普顿散射形成的康普顿本底，在高能γ射线测量中还能有效抑制单逃逸峰和双逃逸峰，可提高以全能峰表针的γ射线测量的相关参数的测量精度，被广泛应用于高自旋态核结构研究、核素分析研究、环境样品测量、辐射污染调查等方面，反康谱仪最重要的性能指标参数是康普顿抑制因子，康普顿抑制因子越大说明对康普顿散射本底抑制得越好(也包括对单逃逸峰和双逃逸峰的抑制)，如何提高反康谱仪的康普顿抑制因子是反康谱仪设计的最重要目标。

传统的反康谱仪的结构布局如图1所示，外围晶体成筒状，主晶体设置于其中，这种布局的反康谱仪γ射线从探测器正面入射，依靠周围一圈锗酸铋或碘化钠晶体(外围晶体)捕捉从高纯锗(主晶体)逃逸出来的康普顿散射光子或单逃逸、双逃逸的0.511MeV的γ射线，这种反康谱仪最大的缺点就是康普顿抑制因子不高。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

针对现有技术中存在的缺陷，本发明的目的是提供一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，该布局结构能够提高反康谱仪康普顿抑制因子，提升反康谱仪的测量效果。

本发明的技术方案如下：

一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，包括主晶体和外围晶体；所述外围晶体设置于所述主晶体周围；所述主晶体的光子入射方向的对侧也设置有外围晶体。

进一步地，上述的提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，所述外围晶体为圆柱形，设置有主晶体入口和光子入射口，所述光子入射口沿光子入射方向的投影不在所述主晶体入口的覆盖范围内。

进一步地，上述的提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，所述主晶体入口设置于所述外围晶体一端，所述外围晶体另一端封闭；所述光子入射口设置于所述外围晶体的侧面。

进一步地，上述的提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，所述光子入射口设置于外围晶体侧面上所述主晶体中部所对应的位置。

进一步地，上述的提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，所述主晶体为高纯锗，所述外围晶体为锗酸铋或碘化钠。

进一步地，上述的提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，所述外围晶体为锗酸铋，所述外围晶体的直径为127mm，高为127mm。

进一步地，上述的提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，所述外围晶体外侧还设置有铅屏蔽层。

本发明的有益效果如下：

本发明通过改变反康谱仪的布局结构，提高了康普顿抑制因子，从而提升了反康谱仪的效果，使其对单逃逸峰和双逃逸峰的抑制效果也有了明显的提高。

附图说明

图1为现有的反康谱仪布局结构的结构示意图。

图2为本发明一个实施例的提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构的结构示意图。

图3为散射光子能量与散射角的关系图。

图4为散射光子散射角微分截面与散射角的关系图。

图5为Fluka模拟的采用图1的布局结构的反康谱仪测量1.3325MeV光子脉冲幅度谱。