[发明专利]量子点发光二极管的制备方法在审
申请号: | 201911378994.X | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN113054115A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 向超宇;张节 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 张杨梅 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 发光二极管 制备 方法 | ||
1.一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下制备载流子传输层的步骤:
提供基质,所述基质上形成有量子点发光层;
提供配体溶液,所述配体溶液包含:铵盐、有机胺、酯类化合物和酚类化合物中的至少一种;将所述配体溶液沉积在所述量子点发光层上,制备表面修饰有配体的量子点发光层;
提供载流子传输层墨水,将所述载流子传输层墨水沉积在所述表面修饰有配体的量子点发光层上,制备载流子传输层。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述铵盐选自卤化铵和/或四甲基氢氧化铵;和/或
所述有机胺选自乙二胺、苯胺和三乙醇胺中的至少一种;和/或
所述酯类化合物选自甲基丙烯酸甲酯、丁烯酸乙酯、乙酸乙酯和苯甲酸甲酯中的至少一种;和/或
所述酚类化合物选自苯酚、邻苯二酚和1-羟基-萘中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述量子点发光层的材料为油溶性量子点,所述配体溶液的溶剂为醇。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,将所述配体溶液沉积在所述量子点发光层上的步骤中,将所述量子点发光层浸没在所述配体溶液中,浸渍预设时间后与所述配体溶液分离,以及去除所述量子点发光层表面的溶剂。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述载流子传输层为电子传输层。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述基质包括:阳极,所述阳极上形成有所述量子点发光层,所述阳极和所述量子点发光层之间形成有空穴传输层和/或空穴注入层。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:在所述电子传输层上沉积阴极;或
所述制备方法还包括:在所述电子传输层上沉积电子注入层,以及在所述电子注入层上沉积阴极。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述量子点发光二极管中,所述载流子传输层为空穴传输层。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述基质包括:阴极,所述阴极上形成有所述量子点发光层,所述阴极和所述量子点发光层之间形成有电子传输层和/或电子注入层。
10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:在所述空穴传输层上沉积阳极;或
所述制备方法还包括:在所述空穴传输层上沉积空穴注入层,以及在所述空穴注入层上沉积阳极。
11.由权利要求1至10中任一项所述的制备方法制得的量子点发光二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择