[发明专利]一种功率放大器保护及控制电路在审
申请号: | 201911379649.8 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111130468A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 黄惠平;叶森;甘福同 | 申请(专利权)人: | 上海大际电子科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/52 | 分类号: | H03F1/52 |
代理公司: | 上海联科律师事务所 31350 | 代理人: | 李玉祥 |
地址: | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率放大器 保护 控制电路 | ||
1.一种功率放大器保护电路,其特征在于,包括晶体管驱动器、晶体管和功率放大器;所述晶体管驱动器的输出端与所述晶体管的栅极连接,以调制所述晶体管的通断;所述晶体管的漏极接电源,源极与所述功率放大器的输入端连接,作为所述功率放大器的漏极供电。
2.根据权利要求1所述的一种功率放大器保护电路,其特征在于,所述晶体管驱动器为NMOS管驱动器,所述晶体管为NMOS管,所述功率放大器为GaN微波功率放大器。
3.根据权利要求2所述的一种功率放大器保护电路,其特征在于,所述NMOS管驱动器的HB端连接自举电容的一端,自举电容的另一端连接NMOS管的源极,以提供脉冲瞬间的Vgs供电电压。
4.根据权利要求2所述的一种功率放大器保护电路,其特征在于,所述NMOS管的源极连接有卸放电路。
5.根据权利要求4所述的一种功率放大器保护电路,其特征在于,所述卸放电路包括钳位二极管,钳位二极管的阴极连接NMOS管的源极,阳极接地。
6.一种功率放大器控制电路,基于权利要求1-5任一项所述的功率放大器保护电路构成,其特征在于,所述晶体管驱动器的输入端连接有负压检测电路,所述负压检测电路对输入的TTL调制信号进行负压检测,若负压正常,则输出TTL调制信号给所述晶体管驱动器,所述晶体管根据TTL调制信号驱动所述晶体管的通断;若负压不正常,则TTL调整信号关断,不输出。
7.根据权利要求6所述的一种功率放大器控制电路,其特征在于,若所述晶体管的漏极连接的驱动级和功放级电源电压值不同,则所述负压检测电路连接两路晶体管驱动器,每一路晶体管驱动器分别对应晶体管和功率放大器。
8.根据权利要求6所述的一种功率放大器控制电路,其特征在于,所述负压检测电路包括二极管D1、电阻R1、电阻R2、开关管Q1和三极管Q2,开关管的栅极接地,源极连接二极管D1和电阻R1的公共端,电阻R1的另一端接地,二极管D1的另一端连接-5V电压,开关管Q1的漏极连接三极管Q2的基集和电阻R2的一端,电阻R2的另一端连接电源,三极管Q2的发射极接地,集电极经电阻R3连接TTL调制信号和所述晶体管驱动器的输入端。
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