[发明专利]一种功率放大器保护及控制电路

权利要求书

1.一种功率放大器保护电路，其特征在于，包括晶体管驱动器、晶体管和功率放大器；所述晶体管驱动器的输出端与所述晶体管的栅极连接，以调制所述晶体管的通断；所述晶体管的漏极接电源，源极与所述功率放大器的输入端连接，作为所述功率放大器的漏极供电。

2.根据权利要求1所述的一种功率放大器保护电路，其特征在于，所述晶体管驱动器为NMOS管驱动器，所述晶体管为NMOS管，所述功率放大器为GaN微波功率放大器。

3.根据权利要求2所述的一种功率放大器保护电路，其特征在于，所述NMOS管驱动器的HB端连接自举电容的一端，自举电容的另一端连接NMOS管的源极，以提供脉冲瞬间的Vgs供电电压。

4.根据权利要求2所述的一种功率放大器保护电路，其特征在于，所述NMOS管的源极连接有卸放电路。

5.根据权利要求4所述的一种功率放大器保护电路，其特征在于，所述卸放电路包括钳位二极管，钳位二极管的阴极连接NMOS管的源极，阳极接地。

6.一种功率放大器控制电路，基于权利要求1-5任一项所述的功率放大器保护电路构成，其特征在于，所述晶体管驱动器的输入端连接有负压检测电路，所述负压检测电路对输入的TTL调制信号进行负压检测，若负压正常，则输出TTL调制信号给所述晶体管驱动器，所述晶体管根据TTL调制信号驱动所述晶体管的通断；若负压不正常，则TTL调整信号关断，不输出。

7.根据权利要求6所述的一种功率放大器控制电路，其特征在于，若所述晶体管的漏极连接的驱动级和功放级电源电压值不同，则所述负压检测电路连接两路晶体管驱动器，每一路晶体管驱动器分别对应晶体管和功率放大器。

8.根据权利要求6所述的一种功率放大器控制电路，其特征在于，所述负压检测电路包括二极管D1、电阻R1、电阻R2、开关管Q1和三极管Q2，开关管的栅极接地，源极连接二极管D1和电阻R1的公共端，电阻R1的另一端接地，二极管D1的另一端连接-5V电压，开关管Q1的漏极连接三极管Q2的基集和电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接电源，三极管Q2的发射极接地，集电极经电阻R3连接TTL调制信号和所述晶体管驱动器的输入端。