[发明专利]一种功率放大器保护及控制电路

说明书

本发明公开了一种功率放大器保护及控制电路，属于功放技术领域，包括晶体管驱动器、晶体管和功率放大器；所述晶体管驱动器的输出端与所述晶体管的栅极连接，以调制所述晶体管的通断；所述晶体管的漏极接电源，源极与所述功率放大器的输入端连接，作为所述功率放大器的漏极供电。本发明采用分离式通用器件对功率放大器进行调制和控制，器件较少，易于实现，且成本较低。

技术领域

本发明涉及功放技术领域，特别是指一种功率放大器保护及控制电路。

背景技术

通过脉冲来调制的功率放大器已经大量应用于雷达及其它很多通信系统中。随着GaN工艺的不断成熟，越来越多的高功率芯片产生，随之而来的对于GaN功放的保护和调制越来越受到重视，上电顺序、系统控制方式，无栅压保护等，微波脉冲功率放大器的工作时，输入信号一般采用射频调制信号，同时对功放直接调制，即通过外部TTL信号控制功率放大器内部功率管的工作状态。目前市面上的调制的实现方式一般采用模块方式，但是价格比较昂贵。

发明内容

本发明提出一种功率放大器保护及控制电路，采用分离式通用器件对功率放大器进行调制和控制，器件较少，易于实现，且成本较低。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种功率放大器保护电路，包括晶体管驱动器、晶体管和功率放大器；所述晶体管驱动器的输出端与所述晶体管的栅极连接，以调制所述晶体管的通断；所述晶体管的漏极接电源，源极与所述功率放大器的输入端连接，作为所述功率放大器的漏极供电。

作为本发明的一个优选实施例，所述晶体管驱动器为NMOS管驱动器，所述晶体管为NMOS管，所述功率放大器为GaN微波功率放大器。

作为本发明的一个优选实施例，所述NMOS管驱动器的HB端连接自举电容的一端，自举电容的另一端连接NMOS管的源极，以提供脉冲瞬间的Vgs供电电压。

作为本发明的一个优选实施例，所述NMOS管的源极连接有卸放电路。

作为本发明的一个优选实施例，所述卸放电路包括钳位二极管，钳位二极管的阴极连接NMOS管的源极，阳极接地。

一种功率放大器控制电路，基于任一项所述的功率放大器保护电路构成，所述晶体管驱动器的输入端连接有负压检测电路，所述负压检测电路对输入的TTL调制信号进行负压检测，若负压正常，则输出TTL调制信号给所述晶体管驱动器，所述晶体管根据TTL调制信号驱动所述晶体管的通断；若负压不正常，则TTL调整信号关断，不输出。

作为本发明的一个优选实施例，若所述晶体管的漏极连接的驱动级和功放级电源电压值不同，则所述负压检测电路连接两路晶体管驱动器，每一路晶体管驱动器分别对应晶体管和功率放大器。

作为本发明的一个优选实施例，所述负压检测电路包括二极管D1、电阻R1、电阻R2、开关管Q1和三极管Q2，开关管的栅极接地，源极连接二极管D1和电阻R1的公共端，电阻R1的另一端接地，二极管D1的另一端连接-5V电压，开关管Q1的漏极连接三极管Q2的基集和电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接电源，三极管Q2的发射极接地，集电极经电阻R3连接TTL调制信号和所述晶体管驱动器的输入端。

本发明的有益效果在于：采用分离式通用器件对功率放大器进行调制和控制，器件较少，易于实现，且成本较低。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一种功率放大器保护电路一个实施例的原理框图；