[发明专利]一种待激光切割晶圆的筛选系统以及激光切割装置

权利要求书

1.一种待激光切割晶圆的筛选系统，包括：承载台，用于承载待激光切割晶圆，所述待激光切割晶圆一表面侧具有反射层；

反射率检测器，包括：

第一光源和第二光源；

检测模块和对比模块，能执行如下步骤：检测待激光切割晶圆的反射层表面对第一光源的第一反射率T1，然后比对第一反射率T1与一指定的第一反射率阈值T1'，如果比对结果为T1＞T1'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆不能够正常取像；如果比对结果为T1≤T1'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆能执行取像；并能根据比对结果为T1≤T1'，执行如下步骤：检测待激光切割晶圆的反射层表面对第二光源的第二反射率T2，然后比对第二反射率T2与一指定的第二反射率阈值T2'，如果比对结果为T2＞T2'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆不能执行激光切割，如果比对结果为T2≤T2'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆能执行切割；

所述的第一光源的中心波长为介于800~900nm之间，其中所述的第二光源的中心波长介于1000nm~1100nm之间。

2.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：其中所述的反射层包括单层介质层、布拉格反射层中至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：所述的待激光切割晶圆包括衬底，所述的衬底为蓝宝石衬底。

4.根据权利要求3所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：所述衬底的另外一面侧包括半导体发光序列以及多个金属电极。

5.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：所述的第一光源的波段与激光切割机台中取像作业用的光源的波段相同，所述取像作业为获取所述待激光切割晶圆上每一单元结构的平面图像，所述单元结构为所述待激光切割晶圆经过切割并被裂开形成的单元结构。

6.根据权利要求5所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：所述取像通过CCD取像。

7.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：第二光源的波段与激光切割用的光源的波段相同。

8.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：第一光源和第二光源为面光源。

9.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：所述的反射率检测器的检测模块可执行如下步骤：根据比对结果如果为T1≤T1'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆能够正常取像，并继续执行如下步骤：比对第二反射率T2与指定的第二反射率阈值T2'，如果比对结果为T2≤T2'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆可进行切割，并继续比对第二反射率T2与指定的第三反射率阈值T3'，若比对结果T2＞T3'，则所述的筛选系统输出结果以指示该所述 待激光切割晶圆需要调整激光功率以进行切割，如果比对结果为T2≤T3'，则所述的筛选系统输出结果以指示该所述待激光切割晶圆不可进行正常切割。

10.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：其中所述的第一反射率阈值T1'为≤90%的任意值。

11.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：其中所述的第二反射率阈值T2'为≤35%的任意值。

12.根据权利要求9所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：其中所述的第三反射率阈值T3'为20~30%之间的任意值，并且T2'大于T3'。

13.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：其中第一光源和第二光源为不同波段的光源，可为同一个或不同的发光装置提供第一光源和第二光源。