[发明专利]一种待激光切割晶圆的筛选系统以及激光切割装置

说明书

一种待激光切割晶圆的筛选系统，包括：承载台，用于承载晶圆，所述晶圆一表面侧具有反射层；反射率检测器，包括：第一光源和/或第二光源；检测模块和对比模块，能执行如下步骤：检测晶圆的反射层表面对第一光源的第一反射率T1，然后比对第一反射率T1与一指定的第一反射率阈值T1'，如果比对结果为T1＞T1'，则输出结果以指示该晶圆不能够正常取像，反之则输出结果以指示该晶圆能执行取像；和/或，能执行如下步骤：检测晶圆的反射层表面对第二光源的第二反射率T2，然后比对第二反射率T2与一指定的第二反射率阈值T2'，如果比对结果为T2＞T2'，则输出结果以指示该晶圆不能执行激光切割，反之则输出结果以指示该晶圆能执行切割。

技术领域

涉及一种待激光切割晶圆的筛选系统、激光切割装置、筛选工艺以及激光切割工艺。

背景技术

正装LED芯片为一种正面出光以及水平设置打线电极的发光二极管结构，为了提高正装LED芯片的正面出光光效，通常会在正装LED芯片的蓝宝石衬底的背面侧设置DBR或银反射层。

其中背面设置有DBR的正装LED芯片的制作流程包括，对一大片的晶圆进行切割加劈裂以获得单元化的正装LED芯片，切割加劈裂的工艺具体为：首先对大片的晶圆进行取晶圆轮廓，然后取像以获得显示包括多个金属电极和多个台阶的图像，根据图像上的金属电极位置和或台阶位置确定切割位置，然后将激光的激光束聚焦到切割位置，并透过DBR照射到晶圆的蓝宝石衬底内部，蓝宝石衬底内部被烧蚀变形，形成一个分割用的连续激光爆点，再对晶圆施以外力劈裂将其分割成单元化的芯片。

然而目前的生产线上容易出现以下技术问题，由于前道制程或其他因素的差异，导致晶圆在经过激光隐作业时，受DBR反射层对取像的光过度反射的影响，激光切割机台获取的影像模糊，无法确认切割位置，导致频繁报警，无法进行后续切割，或者切割机台的激光能量会过度被反射，切割失败，从而导致良率损失和产能损失。

发明内容

本方案通过新加设一套量测系统可以实时监控DBR基LED 反射率，通过得到的反射率信息筛选出可以进行正常取像、正常激光切割以及不能进行正常取像、不能执行激光切割的晶圆，已达到提高产能减少切割不良的目的。

作为本发明的第一方面，提供如下一种待激光切割晶圆的筛选系统，包括：承载台，用于承载待激光切割晶圆，所述待激光切割晶圆一表面侧具有反射层；

反射率检测器，包括：

第一光源和/或第二光源；

检测模块和对比模块，能执行如下步骤：检测待激光切割晶圆的反射层表面对第一光源的第一反射率T1，然后比对第一反射率T1与一指定的第一反射率阈值T1'，如果比对结果为T1＞T1'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆不能够正常取像，如果比对结果为T1≤T1'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆能执行取像；

和/或，能执行如下步骤：检测待激光切割晶圆的反射层表面对第二光源的第二反射率T2，然后比对第二反射率T2与一指定的第二反射率阈值T2'，如果比对结果为T2＞T2'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆不能执行激光切割，如果比对结果为T2≤T2'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆能执行切割。

优选地，其中所述的反射层包括单层介质层介质层、布拉格反射层中至少一种。

优选地，所述的衬底为蓝宝石衬底。

优选地，所述衬底的另外一面侧包括半导体发光序列以及多个金属电极。

优选地，所述的第一光源的波段与激光切割机台中取像作业用的光源的波段相同，所述取像作业为获取所述被切割晶圆上每一单元结构的平面图像，所述单元结构为晶圆经过切割并被裂开形成的单元结构。

优选地，所述取像通过CCD取像。

优选地，第二光源的波段与激光切割用的光源的波段相同。