[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版在审
申请号: | 201911380223.4 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN113050362A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 李甲兮;张婉娟;丁丽华;柏锋;陈权 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 邻近 修正 方法 掩膜版 | ||
1.一种光学邻近修正方法,适用于具有弧形狭缝的光刻系统,其特征在于,包括:
提供掩膜版图,所述掩膜版图包括原始版图图形;
对所述原始版图图形进行轮廓修正处理,所述轮廓修正处理适于将所述原始版图图形变为与所述弧形狭缝一致的弧形图形,所述弧形图形用于作为修正后版图图形。
2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,对所述原始版图图形进行轮廓修正处理之前,还包括:采用光学邻近修正模型对所述原始版图图形进行光学邻近修正。
3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述提供掩膜版图的步骤中,所述掩膜版图存储于版图文件中,所述版图文件具有平面坐标系,所述平面坐标系包括相垂直的横坐标和纵坐标;
对所述原始版图图形进行轮廓修正处理之前,还包括:建立偏移补偿模型,所述偏移补偿模型适于确定所述原始版图图形的轮廓的纵坐标偏移量;
根据所述偏移补偿模型,对所述原始版图图形进行轮廓修正处理。
4.如权利要求3所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述提供原始版图图形的步骤中,所述光刻系统的入射主光线与所述原始版图图形之间具有第一主射线方位角;
所述建立偏移补偿模型的步骤中,所述原始版图图形的轮廓在不同位置处的纵坐标偏移量与相对应位置处的横坐标和第一主射线方位角相关。
5.如权利要求4所述的光学邻近修正方法,其特征在于,采用公式(Ⅰ)作为所述偏移补偿模型,
其中,Δy表示所述原始版图图形的轮廓的纵坐标偏移量,Lmask_x表示所述掩膜版图沿横坐标方向的总宽度,表示所述弧形狭缝的圆心角,表示所述原始版图图形的不同位置处的第一主射线方位角,表示所述原始版图图形的第一主射线方位角的最小值。
6.如权利要求5所述的光学邻近修正方法,其特征在于,利用公式(Ⅱ)和公式(Ⅲ)获得所述偏移补偿模型,
其中,R表示所述弧形图形的半径。
7.如权利要求1或3所述的光学邻近修正方法,其特征在于,对所述原始版图图形进行轮廓修正处理的步骤中,所述轮廓修正处理适于使所述光刻系统的入射主光线与所述弧形图形之间具有第二主射线方位角,且在所述弧形图形的轮廓的不同位置处,所述第二主射线方位角均为90°。
8.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述提供掩膜版图的步骤中,所述光刻系统的入射主光线与所述原始版图图形之间具有第一主射线方位角,所述第一主射线方位角为70°至110°。
9.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述光刻系统为EUV光刻系统。
10.如权利要求2所述的光学邻近修正方法,其特征在于,采用基于模型的光学邻近修正模型,对所述原始版图图形进行光学邻近修正。
11.一种掩膜版,其特征在于,包括:采用修正后版图图形形成的掩膜图形,所述修正后版图图形根据权利要求1至10任意一项光学邻近修正方法获得。
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