[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版

说明书

一种光学邻近修正方法及掩膜版，光学邻近修正方法适用于具有弧形狭缝的光刻系统，光学邻近修正方法包括：提供原始版图图形；对所述原始版图图形进行轮廓修正处理，所述轮廓修正处理适于将所述原始版图图形变为与所述弧形狭缝一致的弧形图形，所述弧形图形用于作为修正后版图图形。本发明通过将所述原始版图图形变为与所述弧形狭缝一致的弧形图形，从而改善或消除狭缝效应，进而降低建立光学邻近修正模型的复杂性和错误率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及掩膜版。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将所需图形从掩膜版中转移到硅片上，形成符合设计要求的半导体产品。具体地，光刻技术通过曝光将图形成像到设置在硅片上的光刻胶层(材料为光敏感的抗蚀剂)中而实现图形转移。

随着半导体技术的飞速发展，光刻所要曝光的图形特征尺寸越来越小，要求光刻的分辨率越来越高，而光刻的分辨率主要体现在CD(critical dimension)上，CD是待曝光图形的关键尺寸(或临界尺寸)。CD的减小可以由三种途径实现：减小曝光波长、增大数值孔径或减小光刻因子。

为了通过减小曝光波长来获得特征尺寸较小的曝光图形，极紫外(extremeultraviolet，EUV)光已被研究应用于光刻中。但是，不同于DUV(deep ultraviolet，深紫外)光等光刻设备，在EUV光刻过程中，光刻设备上的狭缝(slit)为弧形，我们需要考虑一系列因狭缝效应所引起的变化，例如阴影效用、像差和光照等，因此，需要设计相对应的光刻模型来实现曝光过程。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及掩膜版，降低建立光学邻近修正模型的复杂性和错误率。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正方法，适用于具有弧形狭缝的光刻系统，包括：提供掩膜版图，所述掩膜版图包括原始版图图形；对所述原始版图图形进行轮廓修正处理，所述轮廓修正处理适于将所述原始版图图形变为与所述弧形狭缝一致的弧形图形，所述弧形图形用于作为修正后版图图形。

可选的，对所述原始版图图形进行轮廓修正处理之前，还包括：采用光学邻近修正模型对所述原始版图图形进行光学邻近修正。

可选的，所述提供掩膜版图的步骤中，所述掩膜版图存储于版图文件中，所述版图文件具有平面坐标系，所述平面坐标系包括相垂直的横坐标和纵坐标；对所述原始版图图形进行轮廓修正处理之前，还包括：建立偏移补偿模型，所述偏移补偿模型适于确定所述原始版图图形的轮廓的纵坐标偏移量；根据所述偏移补偿模型，对所述原始版图图形进行轮廓修正处理。

可选的，所述提供原始版图图形的步骤中，所述光刻系统的入射主光线与所述原始版图图形之间具有第一主射线方位角；所述建立偏移补偿模型的步骤中，所述原始版图图形的轮廓在不同位置处的纵坐标偏移量与相对应位置处的横坐标和第一主射线方位角相关。

可选的，采用公式(Ⅰ)作为所述偏移补偿模型，

其中，Δy表示所述原始版图图形的轮廓的纵坐标偏移量，L_{mask_x}表示所述掩膜版图沿横坐标方向的总宽度，表示所述弧形狭缝的圆心角，表示所述原始版图图形的不同位置处的第一主射线方位角，表示所述原始版图图形的第一主射线方位角的最小值。

可选的，利用公式(Ⅱ)和公式(Ⅲ)获得所述偏移补偿模型，

其中，R表示所述弧形图形的半径。