[发明专利]封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圆，所述器件晶圆包括多个半导体芯片，所述半导体芯片包括有源区域和输入/输出电极区域；

提供多个分立的芯片级覆盖基板，所述芯片级覆盖基板适于与所述半导体芯片一一对应；

在所述器件晶圆或所述芯片级覆盖基板上形成粘合层，所述粘合层中形成有第一开口，所述第一开口适于与所述有源区域一一对应；

利用所述粘合层使所述芯片级覆盖基板和所述器件晶圆相结合，所述半导体芯片与所述芯片级覆盖基板在所述第一开口的位置处围成第一空腔，所述第一空腔至少露出所述有源区域的一部分；

在所述芯片级覆盖基板上形成互连结构，所述互连结构电连接所述输入/输出电极区域的输入/输出电极。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述芯片级覆盖基板的材料为高阻硅，所述高阻硅的方块电阻大于或等于5000Ω/sq。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述提供多个分立的芯片级覆盖基板的步骤包括：提供晶圆级覆盖基板；

在所述晶圆级覆盖基板中形成多个沟槽，所述晶圆级覆盖基板中被所述沟槽环绕的部分用于作为芯片级覆盖基板；

对所述晶圆级覆盖基板背向所述沟槽的面进行减薄处理，使所述芯片级覆盖基板相分离。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述提供多个分立的芯片级覆盖基板的步骤包括：提供晶圆级覆盖基板；

对所述晶圆级覆盖基板进行减薄处理，使所述晶圆级覆盖基板的厚度达到预设厚度；

对所述晶圆级覆盖基板进行减薄处理后，对所述晶圆级覆盖基板进行切割处理，形成多个分立的芯片级覆盖基板。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述粘合层中还形成有第二开口，所述第二开口适于与所述输入/输出电极区域一一对应；

利用所述粘合层使所述芯片级覆盖基板和所述器件晶圆相结合后，所述半导体芯片与所述芯片级覆盖基板在所述第二开口的位置处围成第二空腔，所述第二空腔至少露出所述输入/输出电极区域的一部分；

利用所述粘合层使所述芯片级覆盖基板和所述器件晶圆相结合之后，还包括：在所述芯片级覆盖基板中形成与所述第二开口相连通的第三开口，所述第三开口和第二开口用于构成导电开口；

在所述芯片级覆盖基板上形成互连结构的步骤包括：形成保形覆盖所述导电开口的底部和侧壁的再布线层，所述再布线层还覆盖所述导电开口两侧的所述芯片级覆盖基板的部分顶面；在所述芯片级覆盖基板顶面上的所述再布线层的表面形成导电凸块，所述导电凸块和再布线层构成互连结构。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述粘合层的步骤包括：在所述器件晶圆或所述芯片级覆盖基板上形成粘合材料层，所述粘合材料层的材料为光敏性材料；

利用光刻工艺图形化所述粘合材料层，图形化后的所述粘合材料层用于作为粘合层。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述器件晶圆上形成所述粘合层；

利用所述粘合层使所述芯片级覆盖基板和所述器件晶圆相结合的步骤包括：将所述芯片级覆盖基板置于所述粘合层上。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述芯片级覆盖基板上形成互连结构后，还包括：对所述器件晶圆进行切割处理，形成多个分立的半导体芯片，且相结合的所述半导体芯片和芯片级覆盖基板用于构成单个半导体器件。

9.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，利用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺刻蚀所述覆盖晶圆，形成所述沟槽。

10.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述沟槽的深度大于所述芯片级覆盖基板的预设厚度，所述沟槽的深度和所述芯片级覆盖基板的预设厚度的差值为10微米至15微米。