[发明专利]封装结构及其制造方法

说明书

一种封装结构及其制造方法，制造方法包括：提供器件晶圆，包括多个半导体芯片，半导体芯片包括有源区域和输入/输出电极区域；提供多个分立的芯片级覆盖基板，适于与半导体芯片一一对应；在器件晶圆或芯片级覆盖基板上形成粘合层，粘合层中形成有第一开口，适于与有源区域一一对应；利用粘合层使芯片级覆盖基板和器件晶圆相结合，半导体芯片与芯片级覆盖基板在第一开口的位置处围成第一空腔，第一空腔至少露出有源区域的一部分；在芯片级覆盖基板上形成互连结构，电连接输入/输出电极区域的输入/输出电极。与晶圆级覆盖基板相比，通过采用芯片级覆盖基板，能够起到应力释放的作用，从而减小器件晶圆的晶圆翘曲度，进而提高封装结构的良率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种封装结构及其制造方法。

背景技术

在半导体器件中，部分器件的有源区域需要提供空腔环境以保证正常工作，因此，器件制备或封装过程中，相应需要在器件的有源区域形成空气隙，例如滤波器、MEMS器件等。

以滤波器中的声表面波(surface acoustic wave，SAW)滤波器为例，SAW滤波器是利用压电效应和声表面波传播的物理特性制成的滤波专用器件。在SAW 滤波器中，信号经过电-声-电的两次转换，从而实现选频特性。SAW滤波器具有工作频率高、制造工艺简单、制造成本低、频率特性一致性高等优点，其应用领域从最开始的军用雷达发展至今几乎遍及整个无线电通讯，特别是随着移动通讯技术的高速发展，更进一步地推动了SAW技术的发展。

在目前SAW滤波器的过程中，至少要用到上盖，即将SAW滤波器芯片用上盖封住，从而在SAW滤波器的有源区域形成空气隙。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种封装结构及其制造方法，提高封装结构的良率。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种封装结构的制造方法，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括多个半导体芯片，所述半导体芯片包括有源区域和输入/输出电极区域；提供多个分立的芯片级覆盖基板，所述芯片级覆盖基板适于与所述半导体芯片一一对应；在所述器件晶圆或所述芯片级覆盖基板上形成粘合层，所述粘合层中形成有第一开口，所述第一开口适于与所述有源区域一一对应；利用所述粘合层使所述芯片级覆盖基板和所述器件晶圆相结合，所述半导体芯片与所述芯片级覆盖基板在所述第一开口的位置处围成第一空腔，所述第一空腔至少露出所述有源区域的一部分；在所述芯片级覆盖基板上形成互连结构，所述互连结构电连接所述输入/输出电极区域的输入/输出电极。

相应的，本发明实施例还提供一种封装结构，包括：器件晶圆，所述器件晶圆包括多个半导体芯片，所述半导体芯片包括有源区域和输入/输出电极区域；粘合层，位于所述器件晶圆上，所述粘合层中形成有第一开口，所述第一开口与所述有源区域一一对应，且所述第一开口至少露出所述有源区域的一部分；多个分立的芯片级覆盖基板，位于所述粘合层上，所述芯片级覆盖基板与所述半导体芯片一一对应，其中，所述芯片级覆盖基板与所述半导体芯片在所述第一开口的位置处围成空腔。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供一种封装结构的制造方法，该制造方法包括提供多个分立的芯片级覆盖基板，所述芯片级覆盖基板适于与所述半导体芯片一一对应，并利用位于所述芯片级覆盖基板和器件晶圆之间的粘合层使所述芯片级覆盖基板和器件晶圆相结合，与将晶圆级覆盖基板(即cap wafer)与器件晶圆相结合的方案相比，通过采用芯片级覆盖基板，能够起到应力释放的作用，从而有利于减小器件晶圆的晶圆翘曲度，相应改善由晶圆翘曲所引起的光刻偏移和器件晶圆发生碎片的问题，进而提高封装结构的良率。

附图说明

图1至图10是本发明封装结构的制造方法一实施例中各步骤对应的结构示意图；

图11是本发明封装结构一实施例的结构示意图。

具体实施方式