[发明专利]光学邻近修正方法及系统、掩模版、设备与介质

说明书

本发明提供一种光学临近邻近修正方法及系统、掩模版、设备与介质，所述光学邻近修正方法包括：提供原始版图图形，所述原始版图图形包括相临的第一图形和第二图形，提取第一图形中第一端部的第一中心点，以及第二图形中第二端部的第二中心点，并以第一中心点和第二中心点的连线为斜边，建立直角三角形，取直角三角形中，斜边与第二直角边的最小长度，计算得到第一直角边的最小长度；根据第一直角边的最小长度，得到所述预补偿修正间隙的最小宽度；根据预补偿修正间隙的最小宽度，在原始版图图形上添加预补偿修正间隙，得到修正后版图。本发明提高芯片生产的良率。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种光学临近邻近修正方法及系统、掩模版、设备与介质。

背景技术

随着集成电路(简称IC)制造技术的飞速发展，传统集成电路的工艺节点逐渐减小，集成电路器件的尺寸不断缩小。在深亚微米半导体制造过程中，随着特征尺寸的不断减小和图形复杂程度变得越来越高，光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction,OPC)技术已广泛应用与各关键层次的掩模版出版中。目前应用最为广泛的OPC方法是基于模型的OPC修正方法，其基本原理是通过建立基于特定光刻条件的曝光模型，对原始版图或目标版图进行模拟以得到模拟误差，然后将原始版图按一定的规则进行分段切割，根据模拟误差对片断进行偏移补偿并重新模拟，经过数个回合的模拟和修正和得到模拟结果与目标版图一致的修正后版图。

对于原始版图中的角对角图形(corner to corner designs)，图形从掩模版转移到在晶圆上之后容易出现桥连接，如附图1所示，进而影响芯片的良率，因此业内通常采用OPC方法防止角对角图形出现桥连接。目前的OPC方法通常分为三步，第一步是建立预补偿改良设计，第二步是在原始图形中添加补偿模块，第三步是进行设计验证。其中第一步是影响刻蚀后图形是否桥接的关键，如果工程师获取准确地改良数据设计，就能够较好地改善桥接问题，但是目前采用的建立预补偿改良设计的方法多靠工程师的经验，对于不同的角对角图形往往采用同一套修正设计，并且没有考虑工艺窗口的影响，随着特征尺寸的不断减小，如何能够应对不同尺寸的角对角图形桥接问题，同时预留足够的工艺窗口，成为本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光光学临近邻近修正方法及系统、掩模版、设备与介质，来提供较大的工艺窗口，进而提高芯片生产的良率。

为解决上述问题，本发明提供一种光学临近邻近修正方法及系统、掩模版、设备与介质，所述光学邻近修正方法包括：

提供原始版图图形，所述原始版图图形包括相邻的第一图形和第二图形，所述第一图形的第一端部和第二图形的第二端部相接近；

提取所述第一端部的第一中心点，以及第二端部的第二中心点，并以第一中心点和第二中心点的连线为斜边，建立直角三角形，所述直角三角形还包括第一直角边和第二直角边，所述第一直角边平行于所述修正方向，所述第二直角边垂直于所述修正方向；

提取所述直角三角形中所述斜边的最小长度与第二直角边的最小长度，计算得到所述第一直角边的最小长度；

根据所述第一直角边的最小长度，得到所述预补偿修正间隙的最小宽度；

根据所述预补偿修正间隙的最小宽度，在所述原始版图图形上添加预补偿修正间隙，得到修正后版图。

可选的，所述第一图形和第二图形为角对角图形，所述第一图形和第二图形在角对角处均为条状矩形图形，所述第一图形和第二图形在角对角处相平行。

可选的，在建立直角三角形的步骤中，所述第一直角边平行于所述角对角处的第一图形和第二图形。