[发明专利]一种通过镀膜防硫化的LED灯珠及其制作方法

权利要求书

1.一种通过镀膜防硫化的LED灯珠，包括LED支架、银层、LED灯珠芯片、点胶封装层，所述LED支架为顶部设有镶嵌槽的四方体，所述LED支架的镶嵌槽底部设有银层，所述银层外表面设有LED灯珠芯片，所述LED灯珠芯片位于覆盖了银层的LED支架的镶嵌槽内，所述LED支架的镶嵌槽上设有点胶封装层，所述点胶封装层密封覆盖在银层和LED灯珠芯片外表面，其特征在于：包括透明保护层，所述银层外表面溅射镀有透明保护层，所述LED灯珠芯片和点胶封装层位于透明保护层外表面。

2.根据权利要求1所述的一种通过镀膜防硫化的LED灯珠，其特征在于：所述透明保护层为非金属材料的钛和硅的氮化物和氧化物。

3.根据权利要求2所述的一种通过镀膜防硫化的LED灯珠，其特征在于：所述透明保护层由四层镀膜组成，所述透明保护层包括氮化钛镀层、氮化硅镀层、氧化钛镀层、氧化硅镀层，所述氮化钛镀层覆盖在银层外表面，所述氮化钛镀层外表面覆盖有氮化硅镀层，所述氮化硅镀层外表面覆盖有氧化钛镀层，所述氧化钛镀层外表面覆盖有氧化硅镀层。

4.根据权利要求3所述的一种通过镀膜防硫化的LED灯珠，其特征在于：所述氮化钛镀层、氮化硅镀层、氧化钛镀层、氧化硅镀层均为真空磁控溅射镀膜。

5.根据权利要求3所述的一种通过镀膜防硫化的LED灯珠，其特征在于：所述氮化钛镀层、氮化硅镀层、氧化钛镀层、氧化硅镀层的厚度均为5-50nm。

6.一种通过镀膜防硫化的LED灯珠制作方法，其特征在于，具体步骤如下：

S1、在LED支架外表面电镀一层银层，将电镀了银层的LED支架放置在采用真空磁控溅射镀膜工艺的镀膜室中；

S2、将镀膜室抽至真空度7.0*10^-3以下的高真空状态，布入惰性气体氩气和少量反应气体氮气和氧气；

S3、同时打开若干个电源，利用辉光放电的原理，通过电场和磁场双重作用，在靶材料表面形成一个均匀的等离子溅射区域，对位于这个区域的LED支架的表面依次镀制高致密和高硬度的氮化钛镀层、氮化硅镀层、氧化钛镀层和氧化硅镀层；

S4、对镀制了透明保护层的LED支架进行点金线、装芯片、点胶封装层工艺，做出LED灯珠。

7.根据权利要求6所述的一种通过镀膜防硫化的LED灯珠制作方法，其特征在于：所述S3中电源的功率为20KW,电流为15A，电压为800V。