[发明专利]一种通过镀膜防硫化的LED灯珠及其制作方法

说明书

本发明提供了一种通过镀膜防硫化的LED灯珠，包括LED支架、银层、LED灯珠芯片、点胶封装层，LED支架为顶部设有镶嵌槽的四方体，LED支架的镶嵌槽底部设有银层，银层外表面设有LED灯珠芯片，LED灯珠芯片位于覆盖了银层的LED支架的镶嵌槽内，LED支架的镶嵌槽上设有点胶封装层，点胶封装层密封覆盖在银层和LED灯珠芯片外表面，银层外表面溅射镀有透明保护层，LED灯珠芯片和点胶封装层位于透明保护层外表面，本发明的有益效果在于：氮化钛、氮化硅、氧化钛和氧化硅对银层防硫化保护效果好，可以确保LED灯珠的使用寿命更长，色温更稳定；真空磁控溅射镀膜对LED支架的银层硫化和氧化保护强于传统涂布工艺，真空磁控溅射镀膜工艺可流水线操作，适合大批量低成本量产。

【技术领域】

本发明涉及一种LED灯珠及其制作方法，尤其涉及一种通过镀膜防硫化的LED灯珠及其制作方法。

【背景技术】

LED因亮度高、功耗低、体积小、寿命长等优点，在照明领域应用十分广泛，但在生产和使用LED产品过程中，我们经常会遇到产品光通量逐渐下降，色温漂移等问题，其主要原因是LED灯珠支架上的银层被硫化和氧化，导致银层发黑、发暗，反射减弱和反光偏色形成的。为了解决银层被硫化和氧化的问题，LED灯珠防硫化工艺得到开发和应用，传统的LED灯珠防硫化保护工艺为涂布工艺，涂布工艺存在成本高、工艺操作性差、有废气排放污染环境等问题。

【发明内容】

本发明目的在于解决传统的LED灯珠防硫化涂布工艺存在成本高、工艺操作性差、有废气排放污染环境等问题，而提供一种通过镀膜防硫化的LED灯珠及其制作方法。

本发明是通过以下技术方案来实现的：一种通过镀膜防硫化的LED灯珠，包括LED支架、银层、LED灯珠芯片、点胶封装层，所述LED支架为顶部设有镶嵌槽的四方体，所述LED支架的镶嵌槽底部设有银层，所述银层外表面设有LED灯珠芯片，所述LED灯珠芯片位于覆盖了银层的LED支架的镶嵌槽内，所述LED支架的镶嵌槽上设有点胶封装层，所述点胶封装层密封覆盖在银层和LED灯珠芯片外表面，还包括透明保护层，所述银层外表面溅射镀有透明保护层，所述LED灯珠芯片和点胶封装层位于透明保护层外表面。

进一步地，所述透明保护层为非金属材料的钛和硅的氮化物和氧化物。

进一步地，所述透明保护层由四层镀膜组成，所述透明保护层包括氮化钛镀层、氮化硅镀层、氧化钛镀层、氧化硅镀层，所述氮化钛镀层覆盖在银层外表面，所述氮化钛镀层外表面覆盖有氮化硅镀层，所述氮化硅镀层外表面覆盖有氧化钛镀层，所述氧化钛镀层外表面覆盖有氧化硅镀层。

进一步地，所述氮化钛镀层、氮化硅镀层、氧化钛镀层、氧化硅镀层均为真空磁控溅射镀膜。

进一步地，所述氮化钛镀层、氮化硅镀层、氧化钛镀层、氧化硅镀层的厚度均为5-50nm。

一种通过镀膜防硫化的LED灯珠制作方法，具体步骤如下：

S1、在LED支架外表面电镀一层银层，将电镀了银层的LED支架放置在采用真空磁控溅射镀膜工艺的镀膜室中；

S2、将镀膜室抽至真空度7.0*10^-3以下的高真空状态，布入惰性气体氩气和少量反应气体氮气和氧气；

S3、同时打开若干个电源，利用辉光放电的原理，通过电场和磁场双重作用，在靶材料表面形成一个均匀的等离子溅射区域，对位于这个区域的LED支架的表面依次镀制高致密和高硬度的氮化钛镀层、氮化硅镀层、氧化钛镀层和氧化硅镀层；

S4、对镀制了透明保护层的LED支架进行点金线、装芯片、点胶封装工艺，做出LED灯珠。

进一步地，步骤S3中电源的功率为20KW,电流为15A，电压为800V。

本产品放置在硫化试验箱中，在110度高温下熏蒸硫磺2小时后做光衰测试，得出实验数据如下：