[发明专利]一种扇出封装结构的制备方法和扇出封装结构

权利要求书

1.一种扇出封装结构的制备方法，其特征在于，包括：以下步骤：

S1、在基板上覆盖一层键合层，将芯片的底部通过键合层安装于基板，该芯片的凸点向上；

S2、在芯片的表面利用密封层进行密封处理，使芯片密封于密封层内；

S3、切割密封层，使凸点的上表面露出于密封层的表面；

S4、脱离键合层，使密封层与基板分离；

S5、在密封层露出有凸点的表面上利用物理气相沉积方法设置Ti层和/或TiN层，再设置第一导电层；该Ti层和/或TiN层接触于凸点；

S6、在第一导电层的表面覆盖干膜层并进行曝光显影，使干膜层表面形成露出第一导电层的第一电镀路线位；

S7、在干膜层的表面对应于第一电镀路线位进行图形电镀，在第一导电层表面形成第一再布线层；

S8、脱去干膜层，并去除干膜层所覆盖的(Ti和/或TiN层)和第一导电层；

S9、在密封层的上表面涂覆保护层，并将凸球与保护层表面的再布线层接触连接。

2.根据权利要求1所述的一种扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体为，通过注塑方法形成密封层，并将芯片密封。

3.根据权利要求1所述的一种扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体为，通过激光切割，将凸点上方的密封层切割，使凸点的上表面露出于密封层的表面。

4.根据权利要求1所述的一种扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S9具体为：在密封层的上表面涂覆感光油墨，并进行曝光、显影和固化处理后形成保护层，并将凸球与第一再布线层接触连接。

5.根据权利要求4所述的一种扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S9中，表面处理具体为有机保焊膜法、浸Ag法、浸Sn法和化学镀镍钯浸金法中的任意一种。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的一种扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S8和步骤S9之间还包括步骤S81；

所述步骤S81包括以下步骤：

S811、在密封层的上表面压合ABF介电层，并使第一再布线层压合于ABF介电层内；

S812、在ABF介电层表面中，对需导通的位置进行打孔，形成介电孔；

S813、在ABF介电层的上表面进行图形电镀处理，使ABF介电层的上表面再形成第二导电层，且第二导电层填充于介电孔内；

S814、在第二导电层表面覆盖干膜层并进行曝光显影，使干膜层表面形成露出第二导电层的第二电镀路线位；

S815、在干膜层表面进行图形电镀，形成第二再布线层，该第二再布线层沿第二电镀路线位分布设置；

S816、脱去干膜层，去干膜层覆盖部分的第二导电层。

7.根据权利要求6所述的一种扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一导电层、所述第二导电层、第一再布线层和第二再布线层的材质为铜、银、金、铁、钛或铝中的任意一种。

8.一种扇出封装结构，其特征在于，包括：密封层、芯片、Ti层、导电层、凸球和保护层；

所述导电层包括：第一导电层；

所述芯片设置于所述密封层内，所述芯片设有凸点；所述凸点向上露出于所述密封层的上表面；所述密封层的上表面覆盖有所述保护层，所述保护层对应于所述凸点的位置设有通孔，所述Ti层分别位于各所述凸点的上表面，所述第一导电层设置于各所述Ti层的上表面；所述凸球安装于各所述导电层的上表面，所述Ti层和所述导电层均位于所述通孔内下方，所述凸球的头部外露于所述通孔。

9.根据权利要求8所述的一种扇出封装结构，其特征在于，还包括：ABF介电层；所述ABF介电层设置于所述保护层与所述密封层之间；

所述导电层还包括：第二导电层；所述第一导电层位于所述ABF介电层内；所述ABF介电层于所述第一导电层的位置设有介电孔；所述第二导电层设置于所述ABF介电层的上表面，且通过对所述介电孔的填充，与所述第一导电层接触连接；所述ABF介电层的上表面涂覆有所述保护层；所述第二导电层安装有所述凸球。