[发明专利]一种扇出封装结构的制备方法和扇出封装结构

说明书

一种扇出封装结构的制备方法和扇出封装结构，其制备方法经步骤S1‑步骤S9，制备出一种扇出封装结构，该扇出封装结构包括：密封层、芯片、Ti层、导电层、凸球和保护层；导电层包括：第一导电层；芯片设置于密封层内，芯片设有凸点；凸点向上露出于密封层的上表面；密封层的上表面覆盖有保护层，保护层对应于凸点的位置设有通孔，Ti层分别位于各凸点的上表面，第一导电层设置于各Ti层的上表面；凸球安装于各导电层的上表面，Ti层和导电层均位于通孔内下方，凸球的头部外露于通孔。本设计能节约封装成本,制作更细的再布线层线路，提高了扇出封装的密度，增加I/O数量，高芯片性能，减小封装体积。

技术领域

本发明涉及扇出封装结构技术领域，尤其涉及一种扇出封装结构的制备方法和扇出封装结构。

背景技术

随着电子产品小型化和集成化的潮流，微电子封装技术的高密度化已在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了顺应新一代电子产品的发展，尤其是手机、笔记本等产品的发展，芯片将向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。扇出型方片级封装技术的出现，作为扇出型晶圆级封装技术的升级技术，拥有更广阔的发展前景。

面对多种多样的芯片和性能工艺要求，以及更高密度和更精细线路的封装需求，仍需要开发新型结构和封装工艺以适应各类需求，降低成本的同时，保障质量。

发明内容

本发明的目的在于提出一种扇出封装结构的制备方法，其通过步骤S1-S9可制备出扇出封装结构。

本发明还提出一种扇出封装结构，其通过上述的制备方法制备，其层与层之间的结构稳定，且电路更丰富，性能更高。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种扇出封装结构的制备方法，包括：以下步骤：

S1、在基板上覆盖一层键合层，将芯片的底部通过键合层安装于基板，该芯片的凸点向上；

S2、在芯片的表面利用密封层进行密封处理，使芯片密封于密封层内；

S3、切割密封层，使凸点的上表面露出于密封层的表面；

S4、脱离键合层，使密封层与基板分离；

S5、在密封层露出有凸点的表面上利用物理气相沉积方法设置Ti层和/或TiN层，再设置第一导电层；该Ti层和/或TiN层接触于凸点；

S6、在第一导电层的表面覆盖干膜层并进行曝光显影，使干膜层表面形成露出第一导电层的第一电镀路线位；

S7、在干膜层的表面对应于第一电镀路线位进行图形电镀，在第一导电层表面形成第一再布线层；

S8、脱去干膜层，并去除干膜层所覆盖的(Ti和/或TiN层)和第一导电层；

S9、在密封层的上表面涂覆保护层，并将凸球与保护层表面的再布线层接触连接。

更进一步说明，所述步骤S2具体为，通过注塑方法形成密封层，并将芯片密封。

更进一步说明，所述步骤S3具体为，通过激光切割，将凸点上方的密封层切割，使凸点的上表面露出于密封层的表面。

更进一步说明，所述步骤S9具体为：在密封层的上表面涂覆感光油墨，并进行曝光、显影和固化处理后形成保护层，并将凸球与第一再布线层接触连接。

更进一步说明，所述步骤S9中，表面处理具体为有机保焊膜法、浸Ag法、浸Sn法和化学镀镍钯浸金法中的任意一种。

更进一步说明，所述步骤S8和步骤S9之间还包括步骤S81；

所述步骤S81包括以下步骤：