[发明专利]光学邻近效应修正方法和系统、掩膜版及其制备方法

说明书

本发明实施例提供了一种光学邻近效应修正方法和系统、掩膜版及其制备方法，所述光学邻近效应修正方法包括：获取待修正主图形和所述待修正主图形的重叠图形及重叠边，所述待修正主图形和其他的主图形按照光刻位置重叠的部分为重叠图形，所述重叠图形在所述待修正主图形的外边缘上的边为重叠边；在待修正的所述重叠边的相邻位置设置散射条辅助图形。本发明实施例所提供的光学邻近效应修正方法中，由于所述散射条辅助图形设置于待修正的重叠边的相邻位置，可以在之后的步骤中很好地改善待修正主图形的质量，尤其是待修正的重叠边所对应位置的图形质量，从而提高所得图形中交错的部分的质量，最终可以提高所得半导体器件的合格率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近效应修正方法和系统、掩膜版及其制备方法。

背景技术

为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能，半导体芯片一直在向更高集成度方向发展；而半导体芯片的集成度越高，半导体器件的临界尺寸就越小。

光刻是半导体制造的主要步骤之一，在光刻工艺中，掩模版放置于曝光光源和投影物镜之间，曝光光源发射出的具有一定波长的光透过掩模版，通过投影物镜使掩模版的图形成像在待光刻的半导体晶圆上，待光刻的半导体晶圆上涂敷有光刻胶，光刻胶被光照射的部分溶解特性会发生改变，通过后续的去胶、蚀刻等的过程，从而可以将掩模版的图形转移到半导体晶圆上。

然而，当半导体器件的临界尺寸接近甚至小于曝光光源的波长时，光透过掩模版时很容易发生光的干涉和衍射，这会使半导体晶圆上的图形与掩模版的图形之间存在一定的变形和偏差，这便是光学邻近效应。

为了得到理想的图形，可以通过各类光学邻近修正方法来克服上述缺陷，其中一种方法是预先修正掩模版上的图形，比如可以在掩模版上使用散射条辅助图形。通过加入散射条辅助图形，可以用来修正器件半密集区及器件孤立区的电路图形，使其电路图形显得密集，增加器件半密集区及器件孤立区的电路图形曝光后的焦深而保证足够大的曝光工艺窗口，使得曝光步骤更加稳定而容易操作。

半导体芯片的步骤中，需要进行很多次光刻、去胶、蚀刻等步骤的循环，在每次的刻蚀步骤完成后，都会在半导体晶圆上留下与掩膜版上的主图形的相对应的图形，在每一个循环中，每次留下的图形并不完全一致，从而形成所需的微观结构。为了形成所需的微观结构，每次留下的图形一般会有交错的部分，而且相对于不交错的部分，各个图形中交错的部分对于最后得到的半导体器件的性能影响更大。

所以，如何提高所得图形中交错的部分的质量，就成为本领域技术人员急需解决的技术问题。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题是如何提高所得图形中交错的部分的质量。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种光学邻近效应修正方法，包括：

提供待修正主图形，在所述待修正主图形中，所述待修正主图形和其他的主图形按照光刻位置重叠的部分为重叠图形，所述重叠图形在所述待修正主图形的外边缘上的边为重叠边；

在待修正的所述重叠边的相邻位置设置散射条辅助图形，所述散射条辅助图形的设置方向与所述待修正主图形的设置方向平行，所述散射条辅助图形的长度小于最小曝光长度。

可选地，每个所述散射条辅助图形对应于一个待修正的所述重叠边。

可选地，所述散射条辅助图形在其所对应的所述重叠边所在直线上的投影覆盖其所对应的所述重叠边。

可选地，所述散射条辅助图形关于其所对应的所述重叠边的垂直对称轴对称。

可选地，每个所述散射条辅助图形对应于两个待修正的所述重叠边，所述散射条辅助图形在其所对应的任一所述重叠边所在直线上的投影覆盖其所对应的所述重叠边。

可选地，所述散射条辅助图形关于其所对应的两个所述重叠边所组成的组合图形的垂直对称轴对称。