[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置在审

专利信息
申请号: 201911387350.7 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN111025119A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 沈向辉 申请(专利权)人: 太仓市晨启电子精密机械有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/12;G01N21/95
代理公司: 苏州瑞光知识产权代理事务所(普通合伙) 32359 代理人: 罗磊
地址: 215435 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 静态 测试 装置
【说明书】:

发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置,首先设置了压环单元,其包括压环工位和压环机构,压环单元的周圈设置有第一通道、第二通道和第三通道,第一通道连接有膜壳输送机构,第二通道连接有圆环输送机构,膜壳在膜壳输送机构的驱动下进入压环工位,圆环在圆环输送机构的驱动下进入压环工位,圆环在压环机构的作用下压紧于膜壳内,圆环和膜壳共同构成绝缘栅双极型晶体管本体,移送单元的入料口连接于第三通道,移送单元上设置有多个测试工位且一侧皆设置有降料机构,移送单元的出料口一侧设置有装料盘且装料盘位于高压测试机构内。本发明相较于现有技术提高了绝缘栅双极型晶体管的静态测试效率。

技术领域

本发明涉及绝缘栅双极型晶体管的静态测试,具体而言,涉及一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。绝缘栅双极型晶体管综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

绝缘栅双极型晶体管在生产完成后需要进行一系列的静态测试以确保其各种性能达标,由于测试的种类多导致工作人员测试效率低下,因此需要一种适用于绝缘栅双极型晶体管的辅助测试装置以提高测试效率。

发明内容

鉴于此,本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置,相较于现有技术提高了绝缘栅双极型晶体管的静态测试效率。

为此,本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管的静态测试装置,首先设置了压环单元,其包括压环工位和压环机构,压环单元的周圈设置有第一通道、第二通道和第三通道,第一通道连接有膜壳输送机构,第二通道连接有圆环输送机构,膜壳在膜壳输送机构的驱动下进入压环工位,圆环在圆环输送机构的驱动下进入压环工位,圆环在压环机构的作用下压紧于膜壳内,圆环和膜壳共同构成绝缘栅双极型晶体管本体,移送单元的入料口连接于第三通道,移送单元上设置有电性测试工位、CCD测试工位和高压测试工位,且电性测试工位、CCD测试工位和高压测试工位的一侧皆设置有一个降料机构,移送单元的出料口一侧设置有装料盘且装料盘位于高压测试机构内。

进一步地,压环机构包括第一安装架、压环气缸、定位气缸和定位板,压环气缸安装于第一安装架的顶部,定位气缸安装于第一安装架的底部,定位板固定安装于第一安装架内且位于压环气缸和定位气缸之间。

进一步地,压环气缸的底部安装有朝向绝缘栅双极型晶体管本体延伸的取环杆,定位气缸的位置对应取环杆的位置。

进一步地,膜壳输送机构包括膜壳入料盘、出料口、推板和推杆,膜壳入料盘内矩阵排列有多个膜壳,推板位于膜壳入料盘的长度方向一端,推杆和出料口位于膜壳入料盘的长度方向另一端,推板在第一气缸的推动下顶紧于膜壳上并带动膜壳沿着膜壳入料盘的长度方向移动,推杆在第二气缸的驱动下将膜壳推向出料口。

进一步地,圆环输送机构为送料振动盘。

进一步地,降料机构包括第二安装架、第三气缸、导轨和机械手,导轨安装于第二安装架上,第三气缸安装于导轨上,机械手安装于第三气缸上,且机械手在第三气缸的驱动下抓取绝缘栅双极型晶体管本体并沿着导轨的长度方向移动。

进一步地,降料机构一侧设置有降料盒,绝缘栅双极型晶体管本体在机械手的带动下落入降料盒内。

进一步地,高压测试机构包括第三安装架、紧固板、测试电极、第四气缸和第五气缸,装料盘固定安装于第三安装架的底部,紧固板在第四气缸的驱动下压实装料盘内的多个绝缘栅双极型晶体管本体,第五气缸安装于第三安装架的顶部,测试电极在第五气缸的驱动下朝向或远离装料盘。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太仓市晨启电子精密机械有限公司,未经太仓市晨启电子精密机械有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911387350.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top