[发明专利]一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法

权利要求书

1.一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，制备抛光液

选取通用粒径的氧化铈抛光粉，用目数为270的不锈钢漏网筛去所述氧化铈粉末内的粒径超过53 μm的氧化铈颗粒，得到初次筛选后的氧化铈粉末；其中，所述通用粒径的氧化铈抛光粉为既含有粒径超过53μm的氧化铈颗粒、粒径小于38 μm的氧化铈颗粒以及粒径位于38 μm ~53 μm范围内氧化铈颗粒的氧化铈抛光粉；

再用目数为400的不锈钢漏网筛对所述初次筛选后的氧化铈粉末做筛除，筛去粒径小于38 μm的氧化铈颗粒，得到二次筛选后的氧化铈粉末；其中，所述二次筛选后的氧化铈粉末为粒径位于38 μm ~53 μm范围内的氧化铈颗粒；

将所述二次筛选后的氧化铈粉末与水按照预设质量比例制成抛光用的抛光悬浊液，将该抛光悬浊液作为抛光液备用；其中，所述预设质量比例为1:3；

步骤二，处理单抛硅片

取出作为基片的单抛硅片，选用缓冲层厚度为1mm的双面胶，将该双面胶的一面覆盖该单抛硅片的已抛光面且压牢，使该双面胶与单抛硅片紧密粘结；其中，所述单抛硅片具有已抛光面和粗糙面；该单抛硅片的直径≤4英寸，且该单抛硅片的厚度≥0.5mm；

选取可调速的研磨抛光机，剥离该双面胶的保护层，将所述研磨抛光机的原装的抛磨夹持盘的下底面朝上，然后再将该单抛硅片的粘有双面胶的面向下粘贴在该抛磨夹持盘的下底面上，且用力均匀压实，使单抛硅片、双面胶和抛磨夹持盘紧密地粘贴在一起，且令该单抛硅片的粗造面暴露出来；其中，该单抛硅片的粗糙面为待加工面；所述研磨抛光机具有所述原装的抛磨夹持盘和原装的抛光盘；所述原装的抛磨夹持盘尺寸小于所述原装的抛光盘尺寸；原装的抛光盘为上表面带沟槽的铸铁抛光盘，该原装的抛光盘具有定位安装杆；所述原装的抛磨夹持盘和原装的抛光盘均为圆形盘；

选用与该研磨抛光机的原装的抛光盘尺寸相符的新抛光盘，提前用清水将该新抛光盘清洗干净，并沥干；其中，所述新抛光盘为铝制的且上表面光滑的抛光盘，其具有与原装抛光盘的定位安装杆相同的定位安装杆，所述研磨抛光机具有定位孔；

将清洗且沥干后的所述新抛光盘的定位安装杆与所述研磨抛光机的定位孔重合后，将该新抛光盘平放在所述研磨抛光机上；

搅拌所述抛光液至均匀，利用滴管吸取经搅拌后的抛光液，并用该滴管按照1cm²/滴的滴液量将抛光液滴在该新抛光盘的上表面，以使得抛光液完全覆盖该新抛光盘的上表面；

将所述单抛硅片的待加工面与滴有抛光液的该新抛光盘的上表面接触，且控制抛磨夹持盘不随该新抛光盘转动；

启动所述研磨抛光机，转动该研磨抛光机的调速旋钮，使得该研磨抛光机以50 r/min的转速匀速转动，控制所述单抛硅片的待加工面与所述新抛光盘的上表面之间的压强为0.1MPa；其中，所述单抛硅片的待加工面与所述新抛光盘的上表面之间的压强为研磨压强；同时，按照2r/min的转速顺时针匀速转动所述抛磨夹持盘，使单抛硅片的待加工面随该抛磨夹持盘做顺时针匀速转动，且保持抛磨夹持盘与新抛光盘之间做不共轴转动，且研磨抛光机与抛磨夹持盘的转动方向相同，研磨2min；

将所述研磨抛光机所对应的研磨压强由0.1MPa增加至0.2MPa，并使该研磨抛光机以30r/min的转速匀速转动；同时，按照2r/min的转速顺时针匀速转动所述抛磨夹持盘，使单抛硅片的待加工面随该抛磨夹持盘做顺时针匀速转动，继续保持抛磨夹持盘与新抛光盘之间做不共轴转动，且研磨抛光机与抛磨夹持盘的转动方向相同，研磨2min；

将所述研磨抛光机所对应的研磨压强再由0.2MPa降低至0.1MPa，并使该研磨抛光机仍以30 r/min的转速匀速转动；同时，按照2r/min的转速顺时针匀速转动所述抛磨夹持盘，使单抛硅片的待加工面随该抛磨夹持盘做顺时针匀速转动，保持抛磨夹持盘与新抛光盘之间做不共轴转动，且研磨抛光机与抛磨夹持盘的转动方向相同，研磨1min；

步骤三，得到磨抛完毕的单抛硅片样品

将所述抛磨夹持盘取下，并用清水清洗掉该抛磨夹持盘上的抛光液，再将该抛磨夹持盘转移到有机溶剂中，利用该有机溶剂去掉位于抛磨夹持盘表面上的双面胶，实现抛磨夹持盘、双面胶与经磨抛完毕的单抛硅片样品的分离，得到磨抛完毕的单抛硅片样品。

2.根据权利要求1所述的适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法，其特征在于，所述抛磨夹持盘通过加减重物实现所述研磨压强的大小调整。

3.根据权利要求1所述的适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法，其特征在于，所述有机溶剂为酒精或丙酮。