[发明专利]一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法

说明书

本发明涉及一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法，对通用粒径的氧化铈抛光粉按照氧化铈颗粒的粒径做初次和二次晒晒筛选，得到具有较优粒径的氧化铈颗粒，在使其与水混合制成抛光液，利用双面胶保护住单抛硅片的已抛光面，再利用研磨抛光机的原装的抛磨夹持盘与选取的新抛光盘配合，将搅拌均匀的抛光液利用滴管全面地滴至且覆盖新抛光盘的上表面，最终不断调整抛磨夹持盘的转动速度、转动时间以及研磨压强来对单抛硅片的粗糙面做研磨，从而利用抛光液内的氧化铈颗粒去摩擦单抛硅片的粗糙面，降低利用传统抛光砂纸在单抛硅片表面滑动摩擦产生的长条状且深浅不一致类似于山脉的磨砂表面，实现单抛硅片表面光界面比较规整。

技术领域

本发明涉及红外光谱椭偏测量的基片处理领域，尤其涉及一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法。

背景技术

椭圆偏振技术是研究介质界面或者薄膜中所发生现象及其特性的一种光学方法，其具有无损、快速以及高灵敏度的优点，已经被广泛用在光学薄膜结构、光学常量及块体材料光学常量的检测与测量中。

随着技术进步，单波长的椭偏仪发展越来越精细，宽光谱的光谱型椭偏仪也获得长足发展，测试范围能够覆盖深紫外到太赫兹范围的椭偏仪产品也相继被推出。

对于光谱范围宽广的红外椭偏仪，其基底(或者称基片)背部反射回来的光将会严重干扰探测器所获得的偏振信息。因此，为了降低基底背部所反射回来光对偏振信息获取的不利影响，必须降低基底背部反射的光，甚至消除基底背部反射的光。

目前，对于石英片等透红外波长较短且折射率在1.5左右的材料可以通过粘贴磨砂胶带、折射率匹配或打磨的方法消除，而对于单抛硅片这种具有长范围透红外光及高折射率(约为3.4)的衬底，由于折射率不匹配等原因无法使用粘贴胶带的方法消除背部反射回来光。因此，如何对单抛硅片这种基片做出处理，以满足红外光谱椭偏仪的测试需求，降低基片背部反射的光，实现低背反测试，具有重要的意义。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，制备抛光液

选取通用粒径的氧化铈抛光粉，用目数为270的不锈钢漏网筛去所述氧化铈粉末内的粒径超过53μm的氧化铈颗粒，得到初次筛选后的氧化铈粉末；其中，所述通用粒径的氧化铈抛光粉为既含有粒径超过53μm的氧化铈颗粒、粒径小于38μm的氧化铈颗粒以及粒径位于38μm～53μm范围内氧化铈颗粒的氧化铈抛光粉；

再用目数为400的不锈钢漏网筛对所述初次筛选后的氧化铈粉末做筛除，筛去粒径小于38μm的氧化铈颗粒，得到二次筛选后的氧化铈粉末；其中，所述二次筛选后的氧化铈粉末为粒径位于38μm～53μm范围内的氧化铈颗粒；

将所述二次筛选后的氧化铈粉末与水按照预设质量比例制成抛光用的抛光悬浊液，将该抛光悬浊液作为抛光液备用；其中，所述预设质量比例介于1:2到1:4之间；

步骤二，处理单抛硅片

取出作为基片的单抛硅片，选用缓冲层厚度为1mm的双面胶，将该双面胶的一面覆盖该单抛硅片的已抛光面且压牢，使该双面胶与单抛硅片紧密粘结；其中，所述单抛硅片具有已抛光面和粗糙面；