[发明专利]有机发光二极管器件及其制作方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管器件，其特征在于，包括：

阵列基板；

发光层，设于所述阵列基板上；以及

薄膜封装层，设于所述发光层上且完全覆盖所述发光层；

其中，所述薄膜封装层包括：

第一无机层，设于所述发光层上；

有机层，设于所述第一无机层上；

第二无机层，设于所述有机层上；以及

至少一介电结构层，设于所述薄膜封装层内。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述介电结构层设于所述有机层与所述第一无机层之间；或者所述介电结构层设于所述有机层与所述第二无机层之间；或者所述介电结构层设于所述有机层内。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述介电结构层设于所述有机层与所述第一无机层之间，以及所述介电结构层设于所述有机层与所述第二无机层之间。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述介电结构层设于所述有机层与所述第一无机层之间，以及所述介电结构层设于所述有机层内。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述介电结构层设于所述有机层与所述第二无机层之间，以及所述介电结构层设于所述有机层内。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述介电结构层设于所述有机层与所述第一无机层之间，以及所述介电结构层设于所述有机层与所述第二无机层之间，以及所述介电结构层设于所述有机层内。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述介电结构层通过原子层沉积方式制作。

8.一种有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供阵列基板步骤，提供一阵列基板；

制作发光层步骤，在所述阵列基板上制作一发光层；以及

制作薄膜封装层步骤，在所述发光层上制作一薄膜封装层；

其中，所述制作薄膜封装层步骤包括如下步骤：

制作第一无机层步骤，在所述发光层上制作一第一无机层；

制作有机层步骤，在所述第一无机层上制作一有机层；以及

制作第二无机层步骤，在所述有机层上制作一第二无机层；

其中，所述制作薄膜封装层步骤还包括：

制作介电结构层步骤，在所述薄膜封装层内通过原子沉积方法制作至少一介电结构层。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述制作介电结构层步骤包括通过原子沉积方法沉积SiN、SiON、SiNC、SiO中的一种或几种的堆栈组合。

10.根据权利要求8所述的有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述介电结构层设于所述有机层内，其制作步骤具体包括：

制作第一有机层步骤，在所述第一无机层上制作一第一有机层；

制作介电结构层步骤，在所述第一有机层上制作一介电结构层；以及

制作第二有机层步骤，在所述介电结构层上制作一第二有机层；

其中，所述制作介电结构层步骤与所述制作第二有机层步骤被执行至少一次。