[发明专利]有机发光二极管器件及其制作方法在审
申请号: | 201911390796.5 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111129096A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 郭天福;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 器件 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种有机发光二极管器件及其制作方法。有机发光二极管器件包括从下至上依次层叠设置的阵列基板、发光层和薄膜封装层;薄膜封装层包括层叠设置的第一无机层、有机层、第二无机层以及至少一介电结构层;介电结构层设于薄膜封装层内。有机发光二极管器件的制作方法包括步骤:提供阵列基板、制作发光层、制作薄膜封装层;其中制作薄膜封装层包括步骤:制作第一无机层、制作有机层、制作第二无机层以及制作介电结构层。本发明通过在薄膜封装层内沉积至少一层极薄致密的介电结构层,从而极好地覆盖有机层的缺陷,提升了薄膜封装层的阻水氧性能。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种有机发光二极管器件及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)器件因其较传统LCD相比具有重量轻巧,广视角,响应时间快,耐低温,发光效率高等优点。因此,在显示行业一直被视其为下一代新型显示技术,特别是OLED可以在柔性基板上做成能弯曲的柔性器件,这是OLED所特有的巨大优势。为了实现OLED的该种优势(柔性显示),薄膜封装(TFE)技术是必不可少的核心技术。
有机发光二极管器件的致命杀手是外界环境中存在的水氧。外界水氧的入侵途径可分为两类:途径一是水氧从上向下直接穿透TFE膜层进入显示面板内部;途径二是水氧从TFE膜层侧面进入侵蚀OLED。因而对于薄膜封装技术,最为重要的是其阻隔水氧性能,在此基础上需兼顾TFE膜层的光学穿透以及柔性弯曲等性能。
如图1所示,常见的显示面板,包括玻璃基底91、阵列基板92、发光层93、薄膜封装层94。其中,薄膜封装层94包括第一无机层941、有机层942以及第二无机层943,为三明治膜层结构,是目前行业内较常见的TFE膜层结构。这种三明治膜层结构的水蒸气透过率(watervapor transmission rate,WVTR)行业内能做到5E-4g/m2/day。主要是通过第一无机层及第二无机层来阻隔外界水氧入侵到显示面板内部中。由于实现柔性弯曲等性能加入了有机层,但有机层的膜质疏松多孔,不具备任何阻隔水氧的能力。因此,导致显示面板的阻水氧效果较差。
现有技术中,薄膜封装结构采用氧化铝层与PP层形成叠膜层,这种叠膜层理论上具有较好的阻水氧性能,但是在实际工艺生产中,不能有效地包裹制程中不可避免的异物,因此实际的阻水氧效果往往较差。
现有技术中,薄膜封装层的结构具体包括第一无机层/第一有机层/第二无机层/第二有机层/第三无机层,其中第一无机层为氧化铝。这种薄膜封装层的结构的主要缺点为无机层与有机层交叠设计的结构过厚,导致耐弯折性能相对较差,膜层往往应力过大,甚至有可能会导致显示面板下层发光膜层被抓起,不利于柔性显示面板的长期发展。
发明内容
本发明的目的是提供一种有机发光二极管器件及其制作方法,进一步提升薄膜封装层的阻水氧性能。
为了实现上述目的,本发明提供一种有机发光二极管器件,包括从下至上依次层叠设置的阵列基板、发光层和薄膜封装层,所述薄膜封装层设于所述发光层上且完全覆盖所述发光层;其中,所述薄膜封装层包括层叠设置的第一无机层、有机层、第二无机层以及至少一介电结构层;具体地讲,所述第一无机层设于所述发光层上;所述有机层设于所述第一无机层上;所述第二无机层设于所述有机层上;所述介电结构层设于设于所述薄膜封装层内。
进一步地,所述介电结构层设于所述有机层与所述第一无机层之间;或者所述介电结构层设于所述有机层与所述第二无机层之间;或者所述介电结构层设于所述有机层内。
进一步地,所述介电结构层设于所述有机层与所述第一无机层之间,以及所述介电结构层设于所述有机层与所述第二无机层之间。
进一步地,所述介电结构层设于所述有机层与所述第一无机层之间,以及所述介电结构层设于所述有机层内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的