[发明专利]光敏树脂基碳源/碳化硅陶瓷浆料、制备多孔碳/碳化硅坯体的方法、结构件及制备方法

权利要求书

1.一种光敏树脂基碳源/碳化硅陶瓷浆料，其特征在于，以体积百分含量计，其包括50％～70％的光敏树脂和30％～50％的粉体材料；

其中，所述的粉体材料包括碳化硅粉体和酚醛树脂粉体；所述的光敏树脂包括单官能团单体、双官能团单体、三官能团单体、光引发剂、附着力促进剂和高分子型分散剂。

2.根据权利要求1所述的浆料，其特征在于，所述的粉体材料中，酚醛树脂粉体占粉体材料总质量的6％～12％。

3.根据权利要求1所述的浆料，其特征在于，以质量百分含量计，所述的碳化硅粉体由中位粒径30.0μm～50.0μm的碳化硅粉与中位粒径3μm～5μm的碳化硅粉两级复配而成。

4.根据权利要求1所述的浆料，其特征在于，所述的单官能团单体选自丙烯酸吗啉ACMO、丙烯酸羟乙酯HEA和丙烯酸苯氧基乙酯2-PHEA中的至少一种；

所述的双官能团单体为1，6己二醇二丙烯酸酯HDDA；

所述的三官能团单体选自六乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯TMP(EO)₆TA和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯TMPTA中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的浆料，其特征在于，所述的高分子型分散剂选自氨基酸酯共聚物；以质量百分含量计，其占粉体材料总质量的3％～8％。

6.根据权利要求1所述的浆料，其特征在于，所述的附着力促进剂选自2-羟乙基甲基丙烯酸酯磷酸酯、多官能度酸性丙烯酸酯和丙烯酸酯磷酸酯中的至少一种；以质量百分含量计，其占粉体材料总质量的3％～5％。

7.一种多孔碳/碳化硅坯体的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：

配制光敏树脂基碳源/碳化硅陶瓷浆料，成型，真空素烧。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的成型为光固化3D打印；

所述的真空素烧的温度为800℃～1200℃，其温度制度如下：以2.0℃～3.0℃/min的升温速率，从室温升温至800℃-1200℃，保温30min～60min；随炉自然冷却至室温。

9.一种反应烧结碳化硅结构件的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：

将权利要求7至8任一项所述的多孔碳/碳化硅坯体置于真空反应烧结炉中，添加坯体质量0.5～0.7倍的硅颗粒；

以5.0～7.0℃/min的升温速率升温至1500℃-1600℃，保温30～60min；

再经过随炉冷却至室温，得到反应烧结碳化硅陶瓷结构件。

10.一种根据权利要求9所述的方法制备的反应烧结碳化硅结构件，其特征在于，其密度≥2.7g/cm³、抗弯强度≥270.0MPa。