[发明专利]光敏树脂基碳源/碳化硅陶瓷浆料、制备多孔碳/碳化硅坯体的方法、结构件及制备方法在审
申请号: | 201911391234.2 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111116205A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 胡传奇;陈玉峰;黄小婷;刘海林;霍艳丽;杨泰生;李荟;贾志辉;王华 | 申请(专利权)人: | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 |
主分类号: | C04B35/569 | 分类号: | C04B35/569;C04B35/573;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/634;C04B35/64;B33Y10/00;B33Y70/10;B33Y80/00 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 张晓萍;刘铁生 |
地址: | 100024*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光敏 树脂 碳源 碳化硅 陶瓷 浆料 制备 多孔 方法 结构件 | ||
本发明的主要目的在于提供一种光敏树脂基碳源/碳化硅陶瓷浆料及多孔碳/碳化硅坯体制备方法、反应烧结碳化硅结构件及其制备方法。所述光敏树脂基碳源/碳化硅陶瓷浆料包括50%~70%光敏树脂和30%~50%粉体材料;所述粉体材料包括碳化硅粉体和酚醛树脂粉体;所述光敏树脂包括单官能团、双官能团、三官能团单体、光引发剂、附着力促进剂和高分子型分散剂;所述多孔碳/碳化硅坯体制备方法包括:配制光敏树脂基碳源/碳化硅陶瓷浆料,光固化3D打印成型,真空素烧;高温渗硅烧结。所要解决的技术问题能够制造出高致密度、高强度的反应烧结碳化硅结构件,使其密度≥2.7g/cm3、抗弯强度≥270.0MPa,从而更加适于实用。
技术领域
本发明属于碳化硅陶瓷制造技术领域,特别是涉及一种光敏树脂基碳源/碳化硅陶瓷浆料及多孔碳/碳化硅坯体制备方法、反应烧结碳化硅结构件及其制备方法。
背景技术
碳化硅(SiC)是一种性能优良的陶瓷材料,具有高强度、高刚度和高稳定性等优点,广泛应用于航空航天、半导体和核工业领域。但碳化硅是 Si-C键很强的共价键化合物,硬度高难以加工;而传统的成型工艺,如注浆成型、干压成型和凝胶注模成型等,在制备高精度、复杂结构碳化硅部件方面具有一定的局限性。因此,很有必要开发一种高精度、复杂异形结构的碳化硅成型方法。
增材制造技术又称3D打印,是一种先进的高精度制造技术,该技术将复杂的三维实体分解成简单的二维平面的组合,通过增加材料的方式来生成实体,具有快速制造、高度集成化和高度灵活性等优点,为制备复杂结构、高精度和高强度碳化硅结构件提供了可能。
光固化成型具有成型坯体强度高、表面质量好和成型精度高等优点,其成型精度1.0μm,表面粗糙度Ra≤0.4μm,是已有陶瓷增材制造技术中成型精度最高的。但是,目前关于碳化硅陶瓷的光固化成型技术面临诸多技术难题,主要在于以下几个方面:1、光敏树脂大部分是采用双组分树脂,如,采用双官能团单体和三官能团单体作为原料制备树脂;此种树脂虽然在光固化速率和光固化精度方面具有突出的性能,但是树脂黏度较大,流动性较差,在树脂流变性方面还有待提升;2、光敏树脂大多是非极性的,而粉体材料则大多是极性的,因此二者相容的时候难以分散,使得混合物的黏度很高,难以得到高固相含量和低黏度的浆料;3、以光敏树脂作为多孔碳/碳化硅坯体的碳源,但是一般光敏树脂的残炭率只有7wt.%左右,很难提高多孔碳/碳化硅坯体中的碳含量,难以得到高强度、高致密度的反应烧结碳化硅结构件。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种光敏树脂基碳源/碳化硅陶瓷浆料及多孔碳/碳化硅坯体制备方法、反应烧结碳化硅结构件及其制备方法,所要解决的技术问题能够制造出高致密度、高强度的反应烧结碳化硅结构件,使其密度≥2.7g/cm3、抗弯强度≥270.0MPa,从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种光敏树脂基碳源/碳化硅陶瓷浆料,以体积百分含量计,其包括50%~70%的光敏树脂和30%~50%的粉体材料;
其中,所述的粉体材料包括碳化硅粉体和酚醛树脂粉体;所述的光敏树脂包括单官能团单体、双官能团单体、三官能团单体、光引发剂、附着力促进剂和高分子型分散剂。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
优选的,前述的浆料,其中所述的粉体材料中,酚醛树脂粉体占粉体材料总质量的6%~12%。
优选的,前述的浆料,其中以质量百分含量计,所述的碳化硅粉体由中位粒径30.0μm~50.0μm的碳化硅粉与中位粒径3μm~5μm的碳化硅粉两级复配而成。
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